[发明专利]显示装置和包括其的电子装置在审
申请号: | 201910106280.7 | 申请日: | 2019-02-02 |
公开(公告)号: | CN110137370A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 金胜勳;金秀燕;成宇镛;尹昇好;张文源 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻挡槽 基底 封装构件 显示装置 后表面 电子装置 显示区域 顶表面 有机发光器件 外围区域 穿透 环绕 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基体基底,包括前表面和后表面,显示区域和与所述显示区域相邻的外围区域限定在所述基体基底中;
有机发光器件,位于所述基体基底的所述显示区域中;以及
封装构件,位于所述有机发光器件上,
其中,模块孔、第一阻挡槽和第二阻挡槽均限定在所述基体基底中,
所述模块孔限定在所述显示区域中以从所述前表面至所述后表面穿透所述基体基底,
所述第一阻挡槽限定为环绕所述模块孔并且具有在所述基体基底的所述前表面中凹进的形状,
所述第二阻挡槽限定为环绕所述第一阻挡槽并且具有在所述基体基底的所述前表面中凹进的形状,
所述显示区域包括位于所述第一阻挡槽与所述第二阻挡槽之间的第一区域以及位于所述第二阻挡槽外侧的第二区域,并且
在所述第一区域中从所述基体基底的所述后表面至所述封装构件的顶表面的距离小于在所述第二区域中从所述基体基底的所述后表面至所述封装构件的所述顶表面的距离。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括位于所述基体基底上的多个绝缘层,
其中,所述多个绝缘层设置在所述第二区域中,并且
所述多个绝缘层中的至少一个不设置在所述第一区域中。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述封装构件包括有机层,并且
所述有机层设置在所述第二区域中并且不设置在所述第一区域中。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示区域包括位于所述模块孔与所述第一阻挡槽之间的第三区域,并且
在所述第三区域中从所述基体基底的所述后表面至所述封装构件的所述顶表面的距离小于在所述第二区域中从所述基体基底的所述后表面至所述封装构件的所述顶表面的距离。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述封装构件设置为覆盖所述第一阻挡槽的内表面、所述第二阻挡槽的内表面、所述第一区域和所述第二区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述封装构件包括第一无机层、位于所述第一无机层上的有机层和位于所述有机层上的第二无机层,并且
所述第一无机层和所述第二无机层在与所述有机发光器件叠置的区域中彼此间隔开且所述有机层置于所述第一无机层与所述第二无机层之间,并且所述第一无机层和所述第二无机层在所述第一阻挡槽和所述第二阻挡槽中的每个中彼此接触。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基体基底包括:
第一基体层,包括第一有机材料并且限定所述基体基底的所述后表面;
第一阻挡层,位于所述第一基体层上,所述第一阻挡层包括第一无机材料并且限定所述基体基底的所述前表面;
第二基体层,设置在所述第一基体层与所述第一阻挡层之间,所述第二基体层包括第二有机材料;以及
第二阻挡层,设置在所述第一基体层与所述第一阻挡层之间,所述第二阻挡层包括第二无机材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述模块孔设置为穿透所述第一基体层、所述第二基体层、所述第一阻挡层和所述第二阻挡层,并且
所述第一阻挡槽和所述第二阻挡槽中的每个设置在所述第一阻挡层和所述第二基体层中。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一阻挡槽和所述第二阻挡槽中的每个包括:穿透区域,设置为穿透所述第一阻挡层;以及凹进区域,限定在所述第二基体层中并且与所述第一阻挡层的所述穿透区域叠置,并且
所述凹进区域的宽度大于所述第一阻挡层的所述穿透区域的宽度。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述模块孔具有圆形形状,并且
所述第一阻挡槽和所述第二阻挡槽中的每个具有圆环形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择