[发明专利]半导体器件和形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

将第一半导体器件附接至衬底的第一表面，所述衬底的第一表面具有附接至所述第一表面的无源部件，其中，所述第一半导体器件包括晶圆、附接至所述晶圆的一个或多个管芯、所述管芯和所述晶圆之间的第一底部填充材料以及位于所述晶圆上方和所述管芯周围的模制材料，其中，相比于所述模制材料，所述晶圆更靠近所述衬底的第一表面；

在所述第一半导体器件周围的衬底的第一表面上形成牺牲结构，所述牺牲结构环绕所述衬底的第一表面的第一区域，所述牺牲结构形成在所述无源部件与所述第一半导体器件之间，其中，所述形成牺牲结构包括：使用分配工具将所述牺牲结构的材料以液体形式分配在所述衬底的所述第一表面上，以及固化所述牺牲结构的材料以形成所述牺牲结构；和

在所述第一区域中形成第二底部填充材料，所述第二底部填充材料的填角具有远离所述衬底的第一部分和位于所述第一部分和所述衬底之间的第二部分，所述第一部分的第一宽度随着所述第一部分朝向所述衬底延伸而连续增加，并且所述第二部分的第二宽度是均匀的，

在形成所述第二底部填充材料之后去除所述牺牲结构，其中，所述第二底部填充材料的顶面的上端被保持为比所述无源部件和去除的所述牺牲结构高，并且所述第二底部填充材料接触所述第一半导体器件的所述晶圆和所述模制材料，

其中，在去除所述牺牲结构之前，所述第二部分的最高点高于所述晶圆的衬底的底端并且低于所述无源部件和所述牺牲结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲结构形成为具有介于2μm和1500μm之间的高度，以及介于10μm和1000μm之间的宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述牺牲结构包括：

在所述第一半导体器件周围的衬底的第一表面上以液体形式或凝胶形式分配牺牲材料；以及

在分配所述牺牲材料的同时固化所述牺牲材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，固化所述牺牲材料包括执行紫外(UV)固化工艺或热固化工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过所述紫外固化工艺固化所述牺牲材料，其中，形成所述牺牲结构包括通过调节所述紫外固化工艺的UV剂量来控制所述牺牲结构的形状。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述牺牲材料包括聚合物。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述牺牲材料包括聚酰亚胺或环氧树脂。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲结构将所述第二底部填充材料保持在所述第一区域内，其中，所述衬底的所述第一表面的除了所述第一区域的区域不含所述第二底部填充材料。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲结构由丙烯酸聚合物形成。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在去除所述牺牲结构之前，固化所述第二底部填充材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述固化所述第二底部填充材料之后，所述第二底部填充材料的填角还具有接触所述衬底的第三部分，并且所述第二部分位于所述第一部分和所述第三部分之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第三部分的第三宽度随着所述第三部分朝向所述衬底延伸而连续变化。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，去除所述牺牲结构包括使用对所述牺牲结构具有选择性的蚀刻剂执行湿蚀刻工艺，其中，所述牺牲结构由丙烯酸聚合物形成，并且所述蚀刻剂包括氢氧化钾。