[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201910106435.7 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN111261627B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘芳妏;吕增富 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
硅控整流器区域，形成于半导体基材中，所述硅控整流器区域包含：
第一p井区；
第一n井区，被所述第一p井区环绕；及
第一p+区，配置于所述第一p井区中，并与所述第一n井区间隔开；以及
NPN区域，形成于所述半导体基材中，且邻近于所述硅控整流器区域，所述NPN区域包含：
第二p井区；
第一n+区，与所述第二p井区及静电放电源耦合；
第二n+区，与所述第二p井区耦合，并与所述第一n+区间隔开；及
第二p+区，配置于所述第二p井区中，并与所述第一p井区中的所述第一p+区等电位连接。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硅控整流器区域还包含第三p+区，配置于所述第一n井区中，并与所述静电放电源耦合。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三p+区与所述第一n+区等电位连接。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述NPN区域还包含第一环型布植区，直接耦合至所述第一n+区，其中所述第一环型布植区为p型掺杂。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述NPN区域还包含第二环型布植区，直接耦合至所述第二n+区，其中所述第二环型布植区为p型掺杂。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含第二n井区，配置于所述硅控整流器区域与所述NPN区域之间。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含金属线，等电位内连接所述第二p+区与所述第一p+区。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硅控整流器区域还包含第三n+区，配置于所述第一p井区，且与接地节点耦合。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述硅控整流器区域及所述NPN区域配置成形成第一静电放电路径，所述第一静电放电路径自所述静电放电源经由所述NPN区域的所述第二p井区至所述第三n+区。
10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述硅控整流器区域及所述NPN区域配置成形成第二静电放电路径，所述第二静电放电路径自所述静电放电源经由所述硅控整流器区域的所述第一n井区至所述第三n+区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
