[发明专利]用于光生阴极保护的AgInS2

权利要求书

1.一种用于光生阴极保护的AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜光阳极的制备方法，其特征在于：

1）石墨烯/TiO₂纳米复合膜的制备：将形成TiO₂纳米管阵列膜的钛基体浸入氧化石墨烯溶液中，密封条件下于150 ~ 180 °C水热反应2 ~ 10 h，而后冷却洗涤、干燥得石墨烯/TiO₂纳米复合膜；

2）AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜的制备：将上述获得的石墨烯/TiO₂纳米复合膜浸入含Ag⁺、In³⁺和S^2-的水溶液中，而后密封、高压、90 ~ 110 °C下煅烧2 ~ 10 h，煅烧后冷却至室温、洗涤、晾干得到AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜。

2.按权利要求1所述的用于光生阴极保护的AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜光阳极的制备方法，其特征在于：

所述氧化石墨烯溶液为将氧化石墨烯浸入PBS缓冲溶液中获得，其中，氧化石墨烯的浓度为0.1 ~ 0.5 g/L。

3.按权利要求2所述的用于光生阴极保护的AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜光阳极的制备方法，其特征在于：所述含Ag⁺、In³⁺和S^2-的水溶液为Ag⁺离子、In³⁺离子、S^2-离子、还原性谷胱甘肽、柠檬酸钠和蒸馏水；其中，水溶液中Ag⁺离子摩尔浓度为0.0005 ~ 0.5 mol/L，In³⁺离子摩尔浓度为0.0005 ~ 0.5 mol/L，S^2-离子摩尔浓度为0.002 ~ 2 mol/L，还原性谷胱甘肽摩尔浓度为0.000025 ~ 0.025 mol/L，柠檬酸钠摩尔浓度为0.0035 ~ 3.5 mol/L。

4.按权利要求2或3所述的用于光生阴极保护的AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜光阳极的制备方法，其特征在于：所述Ag⁺离子选自硝酸银、硫酸银、醋酸银中的一种或几种，In³⁺离子选自硝酸铟、氯化铟、醋酸铟中的一种或几种，S^2-离子选自硫化钠、硫氢化钠、硫代乙酰胺的一种或几种。

5.按权利要求1所述的用于光生阴极保护的AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜光阳极的制备方法，其特征在于：所述TiO₂纳米管阵列膜的钛基体为将钛基体抛光、清洗 后于电压为20 ~ 30 V，阳极氧化0.5 ~ 3 h，而后再于400 ~ 500 °C下煅烧2 ~ 4 h，待用。

6.按权利要求5所述的用于光生阴极保护的AgInS₂/石墨烯/TiO₂纳米复合膜光阳极的制备方法，其特征在于：所述TiO₂纳米管阵列膜的钛基体为将Ti基体经抛光液抛光、清洗，以钛基体为阳极，以铂为对电极，在含NH₄F的乙二醇水溶液中在20 ~ 30 V电压下进行阳极氧化0.5 ~ 3 h，获得预处理后的TiO₂纳米管阵列；将预处理后的TiO₂纳米管阵列放入马弗炉中煅烧，得到Ti基体上的TiO₂纳米管阵列膜。