[发明专利]具有电绝缘扩散中断区的鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍和第二鳍，在衬底上沿第一方向延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开；

第三鳍，具有比所述第一鳍和所述第二鳍的相应长边短的长边，在所述第一鳍与所述第二鳍之间延伸；

第一栅极结构，形成为沿与所述第一方向不同的第二方向延伸并且横跨所述第一鳍；

器件隔离层，设置在所述第一鳍、所述第二鳍和所述第三鳍的每个的下侧壁上并且沿所述第一方向延伸；以及

扩散中断区，在所述器件隔离层上沿所述第二方向延伸，所述扩散中断区包括横跨在所述第一鳍与所述第三鳍之间的第一部分、横跨在所述第二鳍与所述第三鳍之间的第二部分、以及设置在所述第一部分与所述第二部分之间并且在所述第三鳍上的第三部分；

其中所述第三部分的下表面的水平高于所述第一部分和所述第二部分的每个的下端的水平，并且低于所述第一栅极结构的上表面的水平。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第三部分的下表面形成为具有U形；以及

其中所述第三部分的下表面的下端的水平高于所述第一鳍的上表面的水平。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一鳍与所述第二鳍之间，所述第一部分的下端的水平和所述第二部分的下端的水平与所述器件隔离层的下端的水平相匹配，或者低于所述器件隔离层的下端的水平。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

内间隔物，与所述第一部分的一个侧表面和所述第二部分的一个侧表面接触，所述第二部分的所述一个侧表面面对所述第一部分的所述一个侧表面；以及

外间隔物，与所述第一部分的另一个侧表面和所述第二部分的另一个侧表面接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述外间隔物的高度高于所述内间隔物的高度；以及

其中所述内间隔物的上端与所述第三部分的下表面接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述扩散中断区的下部和上部由不同的材料制成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一部分和所述第二部分的每个还包括突起，在比所述第一鳍的上表面的水平低的水平处，所述突起具有比与所述第一部分接触的外间隔物和与所述第一部分接触的内间隔物之间的宽度大的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第三部分的下表面形成为具有倒U形；以及

其中所述第三部分的下表面的上端的水平低于或等于所述第一鳍的上表面的水平。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述第三鳍上并且设置在所述第一部分与所述第二部分之间的一个源极/漏极区，其中所述第三部分的下表面与所述源极/漏极区的上表面接触。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述扩散中断区包括氧化物、氮化物和氮氧化物中的至少一种。

11.一种半导体器件，包括：

第一鳍，在衬底上沿第一方向延伸；

第二鳍，沿所述第一方向延伸并且在所述第一方向上与所述第一鳍间隔开；

第一栅极结构，沿与所述第一方向不同的第二方向延伸并且横跨所述第一鳍延伸；

器件隔离层，沿所述第一方向延伸并且设置在所述第一鳍和所述第二鳍的每个的下侧壁上；

扩散中断区，横跨所述第一鳍与所述第二鳍之间的区域沿所述第二方向延伸；以及

间隔物，设置在所述扩散中断区的两个侧壁上；

其中所述扩散中断区的形成在所述间隔物之间的部分的宽度是所述第一栅极结构的宽度的两倍或更大。