[发明专利]一种高压LED芯片结构及其制作方法

说明书

本申请涉及一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构包括多个LED子芯片，每个LED子芯片包括衬底和位于衬底上的外延层，以及位于外延层上的第一电极和第二电极，其中，相邻两个LED子芯片之间设置有隔离深沟槽，隔离深沟槽的部分区域设置有桥接绝缘隔离层。覆盖有桥接绝缘隔离层的部分隔离深沟槽对应的外延层侧壁为非粗化的侧壁，而其他区域的外延层侧壁均为粗化的侧壁。通过将外延层的侧壁粗化，从而能够减少侧向直接出射的光，将侧向出射的光反射至LED芯片正面出射，进而提供高压LED芯片结构的发光效率。同时，桥接绝缘隔离层设置为非粗化侧壁，如此，可避免因外延层侧壁粗化导致桥接处绝缘层覆盖不佳的问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种高压LED芯片结构及其制作方法。

背景技术

发光二极管(LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代照明工具。

然而，目前LED芯片尚存在着发光效率低的问题。因此提高发光二极管发光效率成为现今最大的课题。基于应用需求，针对提高LED芯片发光效率的技术被提出，例如采用透明衬底、表面粗化，CBL(电流阻挡层)、金属反射镜、倒装芯片、倒梯形芯片结构等技术。

为降低LED封装应用成本，近年来，HV(高压芯片)应运而生，特别是在球泡灯领域得到广泛应用，由于HV(高压芯片)是在芯片制造段的多颗芯片集成，因此可以降低封装的打线成本及应用端的Driver(驱动)成本，进而降低整个LED成本。

但是现有技术中高压芯片的输出效率还有待改进。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种高压LED芯片结构及其制作方法，以解决现有技术中高压LED芯片的输出效率较低，有待改进的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种高压LED芯片结构，包括：

多个LED子芯片；

每个所述LED子芯片包括：

衬底；

位于衬底上的外延层，所述外延层包括沿背离所述衬底方向依次设置的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；

位于所述外延层上的第一电极和第二电极；

位于相邻两个所述LED子芯片之间的隔离深沟槽，所述隔离深沟槽贯穿所述外延层；

位于所述隔离深沟槽内的桥接绝缘隔离层；

位于所述桥接绝缘隔离层上的桥接电极，所述桥接电极连接相邻两个所述LED子芯片的电极；

其中，所述桥接绝缘隔离层覆盖的隔离深沟槽对应的所述第二型半导体层、所述有源层和部分第一型半导体层的侧壁为非粗化侧壁，其余所述外延层侧壁为粗化侧壁。

优选地，所述粗化侧壁为不规则粗化形状。

优选地，所述粗化侧壁为规则的锯齿粗化形状。

优选地，所述锯齿粗化形状的锯齿形状为三角形或半圆形。

优选地，还包括位于所述第二型半导体层背离所述衬底表面的透明导电层。

优选地，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层。

本发明还提供一种高压LED芯片结构制作方法，用于形成上面任意一项所述的高压LED芯片结构，所述高压LED芯片结构制作方法包括：