[发明专利]基于自偏置跨导运算放大器的参考电路在审
| 申请号： | 201910107460.7 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN110166011A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | I·C·西卡尔;J·K·詹宁斯;D·柯林斯 | 申请（专利权）人： | 赛灵思公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人： | 毛健;顾云峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏置电流 启动电流 输入端口 电流转换器电路 发生器电路 跨导运算放大器 参考电压 反馈路径 参考电路 启动期间 装置启动 自偏置 停用 耦接 | ||
1.一种装置，其特征在于，所述装置包括：
电压-电流转换器电路，所述电压-电流转换器电路包括跨导运算放大器OTA，所述电压-电流转换器电路用于生成偏置电流，所述偏置电流与所述OTA的参考电压输入端口处的参考电压成比例；
偏置电流反馈路径，所述偏置电流反馈路径用于向所述OTA的偏置电流输入端口提供所述偏置电流；以及
启动电流发生器电路，所述启动电流发生器电路耦接至所述OTA的所述偏置电流输入端口，其中所述启动电流发生器电路能够被控制以在所述装置的启动期间向所述偏置电流输入端口提供启动电流并能够被控制以在所述装置启动之后被停用。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述启动电流发生器电路包括与电阻器串联的开关。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述启动电流发生器电路包括负载开关。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述启动电流发生器电路包括与晶体二极管串联的开关。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述启动电流发生器电路包括与电阻器串联的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述启动电流发生器电路耦接至所述装置的正电源。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电压-电流转换器电路还包括：
第一p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS；以及
电阻器。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述OTA包括：
参考电压输入端口；
反馈电压输入端口；以及
输出电压端口；
其中所述第一PMOS的栅极耦接至所述OTA的所述输出电压端口，所述第一PMOS的源极耦接至所述装置的正电源，所述电阻器的第一端耦接至所述装置的接地端，所述电阻器的第二端在反馈网络中耦接至所述第一PMOS的漏极并耦接至所述OTA的所述反馈电压输入端口。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述启动电流发生器电路由所述反馈网络的电压控制。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述偏置电流反馈路径包括：
第二PMOS，其中所述第二PMOS的栅极耦接至所述OTA的所述输出电压端口，所述第二PMOS的源极耦接至所述装置的正电源，所述第二PMOS的漏极耦接至所述OTA的所述偏置电流输入端口。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第一PMOS和所述第二PMOS组成电流镜。
12.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，通过所述第二PMOS的漏极提供所述偏置电流。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述偏置电流与通过所述第一PMOS的电流成比例。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述反馈网络的电压是基于通过所述第一PMOS的电流以及所述电阻器的电阻。
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