[发明专利]封装组件制造方法有效
申请号: | 201910107499.9 | 申请日: | 2014-10-31 |
公开(公告)号: | CN109817530B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 谭小春;申屠军立;叶佳明 | 申请(专利权)人: | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/495 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 组件 制造 方法 | ||
1.一种制造封装组件的方法,包括:
在基板的上表面上形成引线框,所述引线框包括第一表面暴露的多条引线;
所述引线至少具有两个不同的高度,以形成相对于所述基板的上表面具有不同高度的层面;
在所述引线的第一表面安装多个层面的电子元件;
一次塑封工艺步骤,采用封装料包覆引线框和电子元件,以及填充所有所述引线之间的沟槽以及所述引线和所述电子元件之间的空隙,形成位于所述基板之上的密封的封装体;以及
在完成所述塑封工艺步骤之后,去除所述基板的至少一部分,使得所述引线的与第一表面相对的第二表面暴露用于外部连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其中形成引线框的步骤包括:
在基板的第一表面上形成多条第一类引线;以及
选择性的在部分所述第一类引线上形成台面,并且所述台面的高度不同,以形成不同的层面。
3.根据权利要求2所述的方法,其中形成多条引线的步骤包括:
在基板上形成金属层;以及
经由包含引线图案的掩模,通过蚀刻将金属层图案化成所述多条引线。
4.根据权利要求2所述的方法,其中形成多条引线的步骤包括:
经由包含引线互补图案的掩模,通过在基板的暴露表面镀敷金属材料形成所述多条引线。
5.根据权利要求2所述的方法,还包括步骤:
所述基板提供机械支撑作用,通过镀敷工艺在所述基板的上表面的预定区域形成第一类引线;
选择性的在所述第一类引线的部分区域,通过镀敷工艺形成具有预定高度的台面;
从邻近引线框的第一层面开始,逐个层面安装电子元件;以及
在安装所有层面的电子元件之后,一次塑封工艺,采用封装料包覆引线框和电子元件,以及填充所有所述引线在所述基板的表面上形成的沟槽以及所述引线和所述电子元件之间的空隙,形成位于所述基板之上的密封的封装体;其中,在安装所述多个层面的电子元件的步骤中,所述基板提供机械支撑作用;在塑封步骤中,所述基板提供机械支撑作用和界定塑封区域的作用;
去除所述基板,以使所述引线的第二表面裸露于所述封装体外。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述台面的上表面的表面积不大于下表面的表面积。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一类引线第一表面的表面积不小于位于所述第一类引线上所述台面的下表面的表面积。
8.根据权利要求2所述的方法,其中在引线框上安装多个层面的电子元件的步骤包括:
从邻近引线框的第一层面开始,逐个层面安装电子元件;以及
在安装所有层面的电子元件之后,采用封装料包覆引线框和电子元件,以填充所有所述引线在所述基板的表面上形成的沟槽,形成位于所述基板之上的密封的封装体,其中,在安装所述多个层面的电子元件的步骤中,所述基板提供机械支撑作用;在塑封步骤中,所述基板提供机械支撑作用和界定塑封区域的作用。
9.根据权利要求2所述的方法,其中,在安装多个层面的电子元件的步骤中,所述电子元件与所述第一类引线的第一表面形成焊料互连,以及与所述台面的上表面形成焊料互连。
10.根据权利要求1所述的方法,在引线框上安装多个层面的电子元件的步骤和去除基板的步骤之间,还包括:在封装料的表面附加散热片。
11.根据权利要求10所述的方法,在封装料的表面附加散热片之前,还包括:通过研磨来平整封封装料并且减小封装料的顶层的厚度。
12.一种根据权利要求1所述的方法形成的封装组件,包括:
由多个引线组成的引线框;所述引线的第二表面在同一平面;
所述引线至少具有两个不同的高度,以形成具有不同高度的层面;
所述引线的第一表面电连接电子元件;以及
包覆引线框和电子元件,以及填充所有所述引线之间和所述引线和所述电子元件之间的空隙的塑封料所形成的一个封装体;
所述引线的第二表面裸露于所述封装体外,用于外部连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造