[发明专利]非挥发性存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储装置，其特征在于，包括：

半导体鳍片，具有第一端部和第二端部，所述第一端部沿第一方向延伸至所述第二端部；其中，所述第一端部和所述第二端部之间为通道区；

分别位于所述半导体鳍片相对两侧的第一控制栅和第二控制栅，所述第一控制栅和所述第二控制栅沿第一方向延伸；

位于所述第一控制栅和所述半导体鳍片之间的第一浮栅，所述第一浮栅至少部分覆盖所述通道区一侧的侧壁表面；

位于所述第二控制栅和所述半导体鳍片之间的第二浮栅，所述第二浮栅至少部分覆盖所述通道区另一侧的侧壁表面。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一浮栅包括第一浮栅电极和第一隧穿介质层，所述第一隧穿介质层位于所述第一浮栅电极和所述半导体鳍片之间；所述第二浮栅包括第二浮栅电极和第二隧穿介质层，所述第二隧穿介质层位于所述第二浮栅电极和所述半导体鳍片之间。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一浮栅电极位于所述第二浮栅电极的延伸线上，且所述第一浮栅电极与第二浮栅电极均沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述第一浮栅电极的宽度与所述第二浮栅电极的宽度相等；在沿所述第二方向上，所述第一浮栅电极的长度与所述第二浮栅电极的长度不同。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一控制栅包括第一控制栅电极和第一耦合介质层，所述第一耦合介质层位于所述第一控制栅电极和所述第一浮栅之间；所述第二控制栅包括第二控制栅电极和第二耦合介质层，所述第二耦合介质层位于所述第二控制栅电极和所述第二浮栅之间。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一浮栅完全覆盖所述通道区一侧的侧壁表面，所述第二浮栅完全覆盖所述通道区另一侧的侧壁表面。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述半导体鳍片包括：位于所述第一端部的源极区，位于所述第二端部的漏极区，所述第一浮栅还覆盖所述源极区和/或漏极区一侧的侧壁表面，所述第二浮栅还覆盖所述源极区和/或漏极区另一侧的侧壁表面。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

衬底，所述鳍片位于所述衬底上表面；

覆盖所述半导体鳍片相对两侧的衬底的隔离层；

所述第一控制栅、第二控制栅、第一浮栅和第二浮栅位于所述隔离层上。

9.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一浮栅电极的材料为多晶硅、TiN、Ti、TaN、Al、Co或W中的一种或多种；所述第二浮栅电极的材料为多晶硅、TiN、Ti、TaN、Al、Co或W中的一种或多种。

10.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第一控制栅电极的材料为多晶硅、TiN、Ti、TaN、Al、Co或W中的一种或多种；所述第二控制栅电极的材料为多晶硅、TiN、Ti、TaN、Al、Co或W中的一种或多种。

11.一种非挥发性存储装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成半导体鳍片，所述半导体鳍片具有第一端部和第二端部，所述第一端部沿第一方向延伸至所述第二端部；其中，所述第一端部和第二端部之间为通道区；

在所述半导体鳍片两侧形成第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅至少部分覆盖所述通道区一侧的侧壁表面，所述第二浮栅至少部分覆盖所述通道区另一侧的侧壁表面；

在所述第一浮栅背向所述半导体鳍片的一侧形成第一控制栅，在所述第二浮栅背向所述半导体鳍片的一侧形成第二控制栅，所述第一控制栅和所述第二控制栅沿第一方向延伸。