[发明专利]一种光电二极管及其制作方法、电子设备

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：

层叠设置的第一电极层和半导体结构，所述第一电极层朝向所述半导体结构的表面平坦，所述半导体结构背向所述第一电极层的表面具有第一凹凸结构；

设置在所述半导体结构背向所述第一电极层的表面的透明电极层，所述透明电极层背向所述第一电极层的表面具有第二凹凸结构；

所述半导体结构具体包括：

设置在所述第一电极层的表面的第一半导体膜层；

设置在所述第一半导体膜层背向所述第一电极层的一侧的第二半导体膜层，所述第二半导体膜层背向所述第一电极层的表面具有所述第一凹凸结构；所述第一凹凸结构包括：由激光晶化形成的，规则排列的多个凸起；所述第二凹凸结构延续所述第一凹凸结构的样貌，能够减小所述透明电极层对光线产生的反射作用；

所述第一半导体膜层和所述第二半导体膜层的其中一个为P型半导体膜层，另一个为N型半导体膜层。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一半导体膜层包括N型非晶硅层，所述第二半导体膜层包括P型非晶硅层，所述P型非晶硅层背向所述第一电极层的表面具有所述第一凹凸结构。

3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一半导体膜层包括P型非晶硅层，所述第二半导体膜层包括N型非晶硅层，所述N型非晶硅层背向所述第一电极层的表面具有所述第一凹凸结构。

4.根据权利要求2或3所述的光电二极管，其特征在于，所述半导体结构还包括：

设置在所述N型非晶硅层和所述P型非晶硅层之间的本征非晶硅层。

5.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述半导体结构还包括：本征非晶硅层；

所述第一半导体膜层包括N型金属氧化物半导体层，所述本征非晶硅层位于所述N型金属氧化物半导体层背向所述第一电极层的表面；

所述第二半导体膜层包括设置在所述本征非晶硅层背向所述第一电极层的表面的P型非晶硅层，所述P型非晶硅层背向所述第一电极层的表面具有所述第一凹凸结构。

6.一种光电二极管，其特征在于，包括：

层叠设置的第一电极层和半导体结构，所述第一电极层朝向所述半导体结构的表面平坦，所述半导体结构背向所述第一电极层的表面具有第一凹凸结构；

设置在所述半导体结构背向所述第一电极层的表面的透明电极层，所述透明电极层背向所述第一电极层的表面具有第二凹凸结构；

所述半导体结构具体包括：

设置在所述第一电极层的表面的第一半导体膜层；

设置在所述第一半导体膜层背向所述第一电极层的一侧的第二半导体膜层，所述第二半导体膜层背向所述第一电极层的表面具有所述第一凹凸结构；所述第一半导体膜层和所述第二半导体膜层的其中一个为P型半导体膜层，另一个为N型半导体膜层；

所述半导体结构还包括：本征非晶硅层；

所述第一半导体膜层包括P型非晶硅层，所述本征非晶硅层位于所述P型非晶硅层背向所述第一电极层的表面，且所述本征非晶硅层背向所述第一电极层的表面结晶；所述本征非晶硅层背向所述第一电极层的表面由激光晶化形成规则排列的多个凸起；

所述第二半导体膜层包括设置在所述本征非晶硅层背向所述第一电极层的表面的N型金属氧化物半导体层，所述N型金属氧化物半导体层背向所述第一电极层的表面具有所述第一凹凸结构；所述第一凹凸结构延续所述多个凸起的样貌，所述第二凹凸结构延续所述第一凹凸结构的样貌，能够减小所述透明电极层对光线产生的反射作用。

7.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1~6中任一项所述的光电二极管。