[发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备在审
| 申请号： | 201910108176.1 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109576792A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 栾波 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 坩埚体 上侧壁 生长装置 下侧壁 坩埚盖 制备设备 坩埚 密闭空间 底壁 晶体生长领域 坩埚整体 安装盖 生长 盖合 制备 受伤 | ||
1.一种用于碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括坩埚，所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的坩埚体，以及上侧壁和坩埚盖；所述上侧壁安装在所述下侧壁上，所述坩埚盖用于盖合在所述上侧壁上；所述坩埚体、上侧壁和坩埚盖形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间；或者
所述坩埚包括主要由底壁和下侧壁组成的下坩埚体，以及主要由上侧壁和坩埚盖形成的上坩埚体；所述上坩埚体的上侧壁安装盖合在所述下坩埚体的下侧壁上，以使所述上坩埚体和下坩埚体形成用于生长碳化硅单晶的密闭空间。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁与下侧壁的相接面为斜面，且自坩埚的内向外方向向下倾斜。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁的高度与下侧壁的高度的比值范围在1：2.5-1：5。
4.根据权利要求3所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述上侧壁的高度与下侧壁的高度的比值为1：3。
5.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述碳化硅单晶生长装置还包括生长基座和缓冲机构；
所述坩埚底部设置有容置空间，所述容置空间内用于放置碳化硅粉料；
所述生长基座设置在所述坩埚的顶部，用于在所述生长基座上生长碳化硅单晶；
所述缓冲机构设置在所述坩埚内，位于所述容置空间与生长基座之间的位置处；且所述缓冲机构上具有气体通道，以使生长气氛能经所述气体通道到达所述坩埚顶部的生长基座处。
6.根据权利要求5所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述缓冲机构与所述上侧壁的下端，以及下侧壁的上端相接，以将所述上侧壁和下侧壁的接缝处遮挡。
7.根据权利要求5所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述碳化硅单晶生长装置还包括导流机构，所述导流机构设置在所述坩埚内，且位于所述缓冲机构与所述生长基座之间，用于将碳化硅粉料升华产生的气体引导向到所述生长基座方向。
8.根据权利要求7所述的碳化硅单晶生长装置，其特征在于，所述导流机构与所述上侧壁的下端，以及下侧壁的上端相接，以将所述上侧壁和下侧壁的接缝处遮挡。
9.一种碳化硅单晶制备设备，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的碳化硅单晶生长装置。
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