[发明专利]一种薄膜晶体管聚酰亚胺栅极绝缘层的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管聚酰亚胺栅极绝缘层的制备方法，包括：

(1)将导电基底清洗干净后，高纯氩气吹干，氧气等离子体处理，得到等离子处理后的导电基底；

(2)将聚酰亚胺粉末溶解于N,N-二甲基乙酰胺中，剧烈搅拌，得到浓度为200～300mg/mL的聚酰亚胺有机溶液；将硅烷偶联剂按照5～10％的质量百分比溶解于乙醇水溶液中，剧烈震荡后静置，得到硅烷偶联剂溶液；

(3)将步骤(2)中的硅烷偶联剂溶液旋涂到步骤(1)中等离子处理后的导电基底上，热处理，得到硅烷偶联剂处理后的导电基底；

(4)将步骤(2)中的聚酰亚胺有机溶液旋涂到步骤(3)中硅烷偶联剂处理后的导电基底上，真空下热处理，得到薄膜晶体管聚酰亚胺栅极绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的导电基底为氧化铟锡玻璃或氧化锡玻璃；高纯氩气的纯度为99.999％及以上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(1)中导电基底清洗的工艺条件为：依次用超纯水、丙酮、异丙醇超声清洗10～20min；氧气等离子体处理的工艺参数为：射频功率为300～500W，处理时间为5～10min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中硅烷偶联剂为氨丙基三乙氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷或氨丙基三甲氧基硅烷；乙醇水溶液中乙醇的体积分数为95～98％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(2)中剧烈搅拌的工艺条件为：在密闭容器中室温剧烈搅拌12～24h；静置的工艺条件为：室温静置1～6h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中旋涂的工艺参数为：旋涂速率为3000～5000r/min，旋涂时间为1～2min，旋涂加速度为1000～1500r/s²。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(3)中热处理的工艺参数为：热处理环境为空气，热处理温度为100～150℃，热处理时间为1～2h。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中旋涂的工艺参数为：旋涂速率为6000～7000r/min，旋涂时间为1～2min，旋涂加速度为800～1000r/s²。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤(4)中真空下热处理的工艺参数为：真空度为0.1MPa及以下，热处理温度为100～120℃，热处理时间为24～48h。