[发明专利]存储模块的测试方法、主板中存储单元的测试方法及装置有效
申请号: | 201910108386.0 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN109828878B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 欧阳志光;叶佳星;邓海东 | 申请(专利权)人: | 晶晨半导体(上海)股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G06F11/26 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 模块 测试 方法 主板 单元 装置 | ||
本发明公开了存储模块的测试方法、主板中存储单元的测试方法及装置,属于存储设备技术领域。在训练存储模块时,通过识别存储模块是否通过训练,可初步判断存储模块是否存在异常,对于无法通过训练存储模块可采用维修参数集合设置存储模块,以使存储模块进行检测,避免主板因存储模块异常进入死机状态无法检测,通过检测结果可精准的定位出存储模块的故障问题,提供了检测的效率,缩短了检测时间。对于主板的存储单元中包括多个存储模块时,可逐个对每个存储模块依次进行检测,防止了因某一个存储模块存在故障至少主板死机,无法准确定位故障存储模块及该故障存储模块的故障数据线的问题。
技术领域
本发明涉及存储设备技术领域,尤其涉及存储模块的测试方法、主板中存储单元的测试方法及装置。
背景技术
目前内存颗粒作为电子系统当中最核心的部件之一,一直以来都是电子系统研究和应用最广泛的对象;当前的智能电子产品,如移动终端(手机、笔记本电脑)、机顶盒、电视机等,这些智能设备主板一般都会大量用到存储器(如:双倍速率存储器,简称DDR,英文Double Data Rate)。主板在生成中会遇到DDR数据线连接不良的问题。对于这种不良板,往往会导致整个系统不能工作(即整个主板报废),当累积的废板多起来,造成的损失会越来越大。目前对于主板的DDR检测的通常先对DDR进行训练,若训练失败,则主板会进入死机状态,无法检测DDR线路情况,因此,无法准确的定位是哪一个颗DDR出了问题,只能尝试性的拆焊,检测的效率低,且用时长。
发明内容
针对现有存储器测试存在的问题,现提供一种旨在可对故障精准定位,提高测试效率、缩短测试时间的存储模块的测试方法、主板中存储单元的测试方法及装置。
一种存储模块的测试方法,存储模块中存储有用于设置所述存储模块的训练参数集合;所述测试方法包括下述步骤:
S1.训练所述存储模块;
S2.识别所述存储模块是否通过训练,若是,执行步骤S3;若否,执行步骤S4;
S3.提取通过训练的训练参数集合设置所述存储模块,执行步骤S5;
S4.依据所述维修参数集合设置所述存储模块,执行步骤S5;
S5.检测所述存储模块的数据线是否正常,若是,输出检测正常的结果;若否,输出检测异常的结果。
优选的,所述步骤S5检测所述存储模块的数据线是否正常包括:预先将原始测试数据写入所述存储模块中;
S51.读取所述存储模块中的测试数据;
S52.将读取的测试数据与所述原始测试数据比对,判断读取的测试数据与所述原始测试数据是否相同,若是,执行步骤S53;若否,执行步骤S54;
S53.输出检测正常的结果;
S54.输出检测异常的结果。
优选的,所述步骤S52还包括:
当读取的测试数据与所述原始测试数据不相同时,判断根据读取的测试数据与所述原始测试数据的区别,识别故障的数据线,并生成故障数据线的报错信息。
本发明还提供了一种主板中存储单元的测试方法,所述存储单元包括至少两个存储模块,每一存储模块中存储有用于设置所述存储模块的训练参数集合;所述测试方法包括:
A1.对所述存储单元中的一待测存储模块进行训练;
A2.识别所述待测存储模块是否通过训练,若是,执行步骤A3;若否,执行步骤A4;
A3.提取通过训练的训练参数集合设置所述待测存储模块,执行步骤A5;
A4.依据所述维修参数集合设置所述待测存储模块,执行步骤A5;
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