[发明专利]一种BaHgSnS4非线性光学晶体的用途

权利要求书

1.一种BaHgSnS₄非线性光学晶体的用途，其特征在于，将该非线性光学晶体用于制备实现激光频率转换的非线性光学器件；所述BaHgSnS₄非线性光学晶体不具备有对称中心，属正交晶系，空间群为Pnn2，其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°，Z＝4。

2.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述非线性光学晶体在0.55-13μm波段范围内保持光的透过。

3.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述非线性光学器件包含：利用所述BaHgSnS₄非线性光学晶体的非线性效应改变至少一束入射电磁辐射的频率，产生至少一束频率不同于所述入射电磁辐射的输出辐射的装置。

4.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述非线性光学器件为倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器、光参量振荡器或光参量放大器。

5.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，采用高温熔体自发结晶法，将具有组成等同于BaHgSnS₄的混合物或粉末状BaHgSnS₄化合物加热至熔化完全，再将得到的高温熔液保温后再降温至室温得到所述BaHgSnS₄非线性光学晶体。

6.根据权利要求5所述的用途，其特征在于，所述保温的时间为24-96小时；所述降温的速率为1-10℃/小时。

7.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，采用坩埚下降法，将具有组成等同于BaHgSnS₄的混合物或粉末状BaHgSnS₄化合物置于晶体生长装置中，加热至熔化完全，将晶体生长装置垂直下降，垂直下降过程中得到所述BaHgSnS₄非线性光学晶体。

8.根据权利要求7所述的用途，其特征在于，所述垂直下降的速率为0.1-10mm/h，时间为5-20天。

9.根据权利要求5或7所述的用途，其特征在于，所述具有组成等同于BaHgSnS₄的混合物为将含有Ba元素、Hg元素、Sn元素和S元素的原料混合得到，其中，Ba元素、Hg元素、Sn元素和S元素的摩尔比为1:1:1:4。

10.根据权利要求9所述的用途，其特征在于，所述原料中，Ba元素来自Ba或BaS；Hg元素来自Hg或HgS；Sn元素来自Sn、SnS或SnS₂；S元素来自单质S、BaS、HgS、SnS或SnS₂。

11.根据权利要求5或7所述的用途，其特征在于，所述粉末状BaHgSnS₄化合物的制备包括如下步骤：将含有Ba元素、Hg元素、Sn元素和S元素的原料按照Ba元素、Hg元素、Sn元素和S元素的摩尔比为1:1:1:4的比例混合均匀，加热至600-1150℃进行固相反应，经研磨，得粉末状BaHgSnS₄化合物。

12.根据权利要求11所述的用途，其特征在于，所述原料中，Ba元素来自Ba或BaS；Hg元素来自Hg或HgS；Sn元素来自Sn、SnS或SnS₂；S元素来自单质S、BaS、HgS、SnS或SnS₂。