[发明专利]芯片的切割方法

说明书

本申请提供了一种芯片的切割方法，该切割方法包括：采用激光在芯片背面的预定区域进行切割，得到切割凹槽；采用等离子体刻蚀法在芯片正面的预定区域进行刻蚀，得到多个芯片单元，其中，芯片正面的预定区域在芯片背面的投影与芯片背面的预定区域重合。该切割方法中，只从背面对芯片的部分厚度进行激光切割，激光切割产生的热量较少，对芯片的性能基本不会造成影响，对芯片的包括正面的部分厚度采用损伤更小的等离子体进行刻蚀，使得晶圆的有效利用面积增大，该方法避免只用激光切割法将芯片切割为多个单元切割芯片导致的芯片的性能发生改变甚至失效的问题，保证了切割形成的各个芯片单元的性能较好。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种芯片的切割方法。

背景技术

芯片在晶圆上加工完成之后需要以单元分开，如今主要采用机械切割以及激光切割的方法来实现，但是这两种技术都存在一定的局限性，对产品的性能或良率会产生一定影响。例如，机械切割不可避免地会造成晶圆结构的损伤，浪费了晶圆的面积，如果损伤面积过大可能会使得芯片功能失效。激光切割虽然损伤小，但是激光产生的热量可能会导致芯片性能发生改变甚至失效。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种芯片的切割方法，以解决现有技术中的激光切割法容易导致芯片失效的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种芯片的切割方法，该切割方法包括：采用激光在芯片背面的预定区域进行切割，得到切割凹槽；采用等离子体刻蚀法在芯片正面的预定区域进行刻蚀，得到多个芯片单元，其中，所述芯片正面的预定区域在所述芯片背面的投影与所述芯片背面的预定区域重合。

进一步地，所述激光的能量在2～200W之间。

进一步地，所述切割凹槽的深度为所述芯片的厚度的1/2～5/6。

进一步地，采用低温等离子体实施所述等离子体刻蚀法，所述低温等离子体的温度在0～100℃之间。

进一步地，采用高能量等离子体实施所述等离子体刻蚀法，所述高能量等离子体对应的射频源的偏压功率在500～10000W之间。

进一步地，所述采用等离子体刻蚀法在芯片正面的预定区域进行刻蚀，得到多个芯片单元包括：采用低温等离子体在所述芯片正面的预定区域进行刻蚀，所述低温等离子体的温度在0～100℃之间；采用高能量等离子体在所述芯片正面的预定区域进行刻蚀，所述高能量等离子体对应的射频源的偏压功率在500～10000W之间。

进一步地，在所述采用激光在芯片背面的预定区域进行切割之前，所述切割方法还包括：确定所述芯片背面的预定区域。

进一步地，所述确定所述芯片背面的预定区域包括：采用预定光从所述芯片正面垂直入射至所述芯片，所述芯片正面的预定区域覆盖有挡光材料，所述挡光材料对预定光的透过率小于30％，所述芯片的其他位置对所述预定光的透过率大于60％，所述预定光覆盖所述挡光材料以及所述挡光材料的外围区域；确定所述芯片背面上出射光最少的位置为所述芯片背面的预定区域。

进一步地，所述芯片包括硅材料，所述预定光为红外光。