[发明专利]处理晶圆的方法

说明书

本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆在一个侧面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)。该方法包括：提供保护膜(4)；将保护膜施加到晶圆的一个侧面(1)或晶圆的与一个侧面相对的侧面(6)，使得至少保护膜的前表面(4a)的中央区域与晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面直接接触。该方法还包括：将保护膜附接至晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面，使得保护膜的周边部分的至少一部分沿着晶圆的整个圆周附接至晶圆的侧边缘(5)的至少一部分。晶圆的侧边缘从晶圆的一个侧面延伸到晶圆的与一个侧面相对的侧面。而且，该方法包括：处理晶圆的一个侧面/或晶圆的与一个侧面相对的侧面。

技术领域

本发明涉及一种处理晶圆(诸如半导体晶圆)的方法，该晶圆在一个侧面具有含多个器件的器件区域。

背景技术

在半导体器件制造过程中，具有含多个器件的器件区域的晶圆通常由多条分割线划分，被分割成各个晶片。该制造过程通常包括用于调节晶圆厚度的研磨步骤以及沿着分割线切割晶圆以获取各个晶片的切割步骤。从晶圆的背面执行研磨步骤，背面与形成有器件区域的晶圆正面相对。而且，还可在晶圆的背面上进行其他处理步骤，诸如抛光和/或蚀刻。晶圆可从其正面或其背面沿着分割线切割。

为了保护晶圆背面或正面(特别是，形成在器件区域中的器件)例如免受碎片、研磨水或切割水的破损、变形和/或污染，在处理晶圆期间，保护膜或保护片可在处理之前施加到晶圆的背面或正面。

如果晶圆的相应侧面(例如，器件区域)具有不均匀的表面结构，则晶圆背面或正面(特别是，器件)的这种保护是特别重要的。

例如，在已知的半导体器件制造过程(诸如晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP))中，晶圆的器件区域形成有从晶圆的平面表面突出的多个突出部(诸如凸块)。例如，这些突出部用于例如在将晶片整合到诸如移动电话和个人计算机之类的电子设备中时与各个晶片中的器件建立电接触。

此外，在已知晶圆中，器件区域中的器件可从平面晶圆表面突出。划分这些器件的分割线可在器件之间形成至少微小的凹槽或沟道，从而导致不均匀的表面轮廓。

在研磨过程之前的传统上已知的切片中，晶圆首先从其正面沿着分割线被部分地切割(仅沿着晶圆的厚度的一部分)。随后，晶圆背面沿着晶圆厚度的其余部分进行研磨，其中晶圆尚未被切割，以沿着分割线将晶圆分割成分离的芯片或晶片。另外，这样的部分切割引入致使晶圆正面不均匀的表面轮廓。

当以常规的方式将保护膜或保护片附接至这样的不均匀晶圆表面时，出现的问题是，例如，由于存在凹槽、沟道或突出部，不能有效地保护表面。特别是，保护膜不能可靠地密封周边晶圆部分处的晶圆表面，允许污染物(诸如碎片、研磨水或切割水)进入而污染表面。

为了实现诸如移动电话和个人计算机之类的电子设备的尺寸减小，半导体器件的尺寸必须减小。因此，具有形成在其上的器件的晶圆在上述研磨步骤中被研磨至μm范围(例如，从20μm到100μm的范围内)内的厚度。理想地，这样的研磨过程以高速执行，以提高晶圆处理效率。

在已知的半导体器件制造过程中，在特别是将晶圆高速地研磨至这样小的厚度的过程期间可能出现问题。具体地，研磨过程可能形成尖锐的晶圆边缘，这种尖锐的晶圆边缘作用为晶圆碎裂和破损的起始点，从而显著地影响所得到的芯片或晶片的质量。此外，在研磨之后用于分割晶圆的设备(诸如刀片或锯)可能由于布置在周边晶圆部分处的松散的小尺寸芯片的冲击而受损。这样的尖锐晶圆边缘还可能导致被研磨晶圆的储存和/或传送中的问题，例如，损坏其收纳容器(诸如晶圆盒等)。

为了解决与薄晶圆研磨相关的上述问题，已知在研磨晶圆之前在晶圆正面上执行边缘修整过程。在该过程中，切割晶圆的正面的外周边部分的至少一部分，以获取沿着晶圆圆周的台阶部分(例如，环形台阶部分)。通过提供这样的台阶部分，可以避免在研磨步骤中形成尖锐晶圆边缘。然而，对附加边缘修整步骤的要求致使晶圆处理方法更复杂并且降低了处理效率。