[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

第1至第6存储单元，依序积层于半导体基板的上方；

第1至第6字线，分别与所述第1至第6存储单元的栅极电连接；以及

控制电路，向所述第1至第6字线施加电压；且

所述控制电路在进行对所述第3存储单元的写入动作时，向所述第1至第6字线的各个分别施加第1至第6电压的各个，所述第2电压高于所述第1电压，所述第3电压高于所述第2电压，所述第4电压低于所述第3电压，所述第5电压低于所述第4电压，所述第6电压高于所述第5电压，所述第1电压低于所述第5电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第2电压与所述第4电压的电压相同。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于更包括：

贯通所述第1至第6字线的存储孔；以及

导电层，嵌入于所述存储孔内，且形成所述第1至第6存储单元的电流路径；且

所述存储孔的直径是越上层越大，越下层越小。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于更包括：

贯通所述第1至第6字线的存储孔；以及

导电层，嵌入于所述存储孔内，且形成所述第1至第6存储单元的电流路径；且

所述存储孔具有从上层往下层直径变小的第1部分、以及设置于比所述第1部分更下层并且从上层往下层直径变小的第2部分。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第2部分的上部的直径大于所述第1部分的下部的直径。

6.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

多个存储单元，设置于半导体基板的上方；

多个字线，分别与所述多个存储单元的栅极连接；以及

控制电路，向所述多个字线施加电压；且

所述控制电路在所述多个存储单元中对选择存储单元进行数据的编程时，对连接于所述选择存储单元的选择字线施加第1电压，

对于与位于所述选择字线上方的多个字线对应的第1字线群，施加随着往上层而阶段地降低的电压，

对于与位于比所述第1字线群更上层的多个字线对应的第2字线群，施加随着往上层而阶段地升高的电压，

对于与位于比所述选择字线更下层的多个字线对应的第3字线群，施加随着往下层而阶段地降低的电压，

对于与位于比所述第3字线群更下层的多个字线对应的第4字线群，施加比施加于所述第2字线群的电压低的电压。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第1字线群的字线的个数与所述第3字线群的字线的个数相同。

8.根据权利要求6或7所述的半导体存储装置，其特征在于更包括：

贯通所述多个字线的存储孔；以及

导电层，嵌入于所述存储孔内，且形成所述多个存储单元的电流路径；且

所述存储孔的直径是越上层越大，越下层越小。

9.根据权利要求6或7所述的半导体存储装置，其特征在于更包括：

贯通所述多个字线的存储孔；以及

导电层，嵌入于所述存储孔内，且形成所述多个存储单元的电流路径；且

所述存储孔具有从上层往下层直径变小的第1部分、以及设置于比所述第1部分更下层并且从上层往下层直径变小的第2部分。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述第2部分的上部的直径大于所述第1部分的下部的直径。