[发明专利]内存结构

权利要求书

1.一种内存结构，其特征在于，包括：

第一晶体管，包括第一栅极与位于所述第一栅极的两侧的第一掺杂区与第二掺杂区，其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区在第一方向上排列；

第二晶体管，包括第二栅极与位于所述第二栅极的两侧的第三掺杂区与第四掺杂区，其中所述第二掺杂区与所述第三掺杂区位于所述第一栅极与所述第二栅极之间且在第二方向上排列，且所述第二方向与所述第一方向相交；以及

电容器，耦接至所述第二掺杂区与所述第三掺杂区。

2.如权利要求1所述的内存结构，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为P型金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管中的一者与另一者。

3.如权利要求1所述的内存结构，其中所述电容器在所述第二方向上延伸。

4.如权利要求1所述的内存结构，其中所述第三掺杂区与所述第四掺杂区在第三方向上排列，且所述第三方向与所述第二方向相交。

5.如权利要求4所述的内存结构，其中所述第一方向与所述第三方向平行。

6.如权利要求4所述的内存结构，其中

所述第一晶体管的栅极的延伸方向相交于所述第一方向且不垂直于所述第二方向，且

所述第二晶体管的栅极的延伸方向相交于所述第三方向且不垂直于所述第二方向。

7.如权利要求1所述的内存结构，其中耦接至所述电容器的所述第一晶体管与所述第二晶体管呈错位排列。

8.如权利要求1所述的内存结构，还包括：

介电层，覆盖所述第一晶体管与所述第二晶体管，且具有至少一个开口，其中所述电容器位于所述至少一个开口中。

9.如权利要求8所述的内存结构，还包括：

隔离结构，位于所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间。

10.如权利要求9所述的内存结构，其中所述至少一个开口的数量为一个，且所述开口暴露出所述第二掺杂区、所述第三掺杂区与所述隔离结构。

11.如权利要求9所述的内存结构，其中所述至少一个开口的数量为多个，且每个所述开口暴露出所述第二掺杂区、所述第三掺杂区与所述隔离结构中的至少一者。

12.如权利要求1所述的内存结构，还包括：

接触窗，耦接至所述电容器，且位于所述隔离结构、所述第二掺杂区与所述第三掺杂区中的至少一者上方。