[发明专利]制备多晶硅薄膜的方法、阵列基板、显示面板

权利要求书

1.一种制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多晶硅预制层，所述多晶硅预制层的表面具有多个凸起；

在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层，形成所述光刻胶层包括采用半色调掩膜版对光刻胶进行曝光显影，在所述光刻胶与所述多晶硅预制层对应处形成凹坑，以便形成所述光刻胶层；

对所述光刻胶层进行第一灰化处理，去除部分光刻胶层，以便暴露出所述多个凸起，采用第一灰化气体进行所述第一灰化处理，所述第一灰化气体包括六氟化硫和氧气，所述六氟化硫的流量为200-300sccm，所述氧气的流量为9000-11000sccm，所述第一灰化处理的反应腔内的压强为35-45 mTorr，所述第一灰化处理的等离子源功率为28-32KW，所述第一灰化处理的衬底偏压为13-17KW；

对所述多个凸起进行第二灰化处理，去除所述多个凸起，采用第二灰化气体进行所述第二灰化处理，所述第二灰化气体包括六氟化硫和氯气，所述六氟化硫的流量为750-850sccm，所述氯气的流量为7500-8500sccm，所述第二灰化处理的反应腔内的压强为35-45mTorr，所述第二灰化处理的等离子源功率为28-32KW，所述第二灰化处理的衬底偏压为13-17KW；

去除剩余的所述光刻胶层，以便形成所述多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅预制层形成在所述衬底的部分表面，在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶，所述光刻胶覆盖所述多晶硅预制层以及未被所述多晶硅预制层覆盖的所述衬底，控制涂覆的所述光刻胶的厚度，以令所述光刻胶远离所述衬底一侧的表面为平面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅预制层形成在所述衬底的部分表面，在所述多晶硅预制层远离所述衬底的一侧涂覆光刻胶，所述光刻胶覆盖所述多晶硅预制层以及未被所述多晶硅预制层覆盖的所述衬底，并进行曝光固化，以便形成所述光刻胶层，控制涂覆的所述光刻胶厚度，以令所述光刻胶层各处的厚度均一。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度不小于1μm。

5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，位于所述多个凸起正上方的所述光刻胶层的厚度和所述多个凸起的高度之比为（8-20）：1。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，多个所述凸起的高度为400-500 Å。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅预制层形成在所述衬底的部分表面，所述去除剩余的所述光刻胶层进一步包括：

对所述光刻胶层进行第三灰化处理，刻蚀去除所述多个凸起之间的所述光刻胶层；

剥离去除剩余的所述光刻胶层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用第三灰化气体进行所述第三灰化处理，所述第三灰化气体包括六氟化硫和氧气，所述六氟化硫的流量为550-650sccm，所述氧气的流量为2500-3500sccm，所述第三灰化处理的反应腔内的压强为8-12 mTorr，所述第三灰化处理的等离子源功率为8-12KW，所述第三灰化处理的衬底偏压为13-17KW。

9.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括利用权利要求1-8任一项所述的方法制备的多晶硅薄膜。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求9所述的阵列基板。