[发明专利]液体处理装置

说明书

本发明能够不降低生产性而除去在旋涂时产生的抗蚀剂液的异物。抗蚀剂涂敷装置(32)包括：保持晶片(W)并使其旋转的旋转吸盘(121)；对由旋转吸盘(121)保持的晶片(W)涂敷涂敷液的涂敷液供给喷嘴(154)；包围被旋转吸盘(121)保持的晶片(W)地配置于旋转吸盘(121)的外侧的罩(125)；设置在旋转吸盘与罩(125)的内周面之间的排气路径(d)；收集部件(181)，其覆盖排气路径(d)地设置在排气路径(d)的上方，具有在上下方向连通的开口部(181a)；供给溶剂的溶剂供给喷嘴(158)；和中继部(180)，其位于收集部件(181)的上方，从罩(125)的内周面向收集部件(181)突出。

技术领域

本发明涉及在基片涂敷涂敷液的液体处理装置和该液体处理装置的清洗方法。

背景技术

例如在半导体器件的制造处理中的光刻步骤中，例如进行涂敷处理，其在作为基片的半导体晶片(下面，称为“晶片”。)上涂敷规定的涂敷液形成防反射膜、抗蚀剂膜之类的涂敷膜。

在上述的涂敷处理中，多使用所谓的旋涂法，即从喷嘴对旋转中的晶片供给涂敷液，涂敷液因离心力而在晶片上扩散从而在晶片上形成涂敷膜。在用于进行旋涂法的旋转式的液体处理装置设置有被称为罩的容器，其用于防止从旋转的晶片的表面飞散的涂敷液飞散到周围。另外，从罩的底部进行排气，使得不会在使晶片旋转时从晶片的缘部飞散的涂敷液成为雾状飞扬到罩的上方而污染罩外。

但是，近年来，存在要求使用高粘度的抗蚀剂液等涂敷液而在晶片上形成膜厚大的涂敷膜的情况。对于这样的高粘度的涂敷液，在将其涂敷到晶片后旋转晶片使涂敷液扩散时，涂敷液被从晶片的端部甩掉而一部分固化为丝状，并且固化为该丝状的涂敷液(下面，也称为丝状异物。)或者该丝状异物成为彼此缠绕的棉状的异物而堵塞在排气路径中。在这样的情况下，无法获得所希望的排气压，而例如罩外被雾状的涂敷液汚染。

对此，在专利文献1的液体处理装置中，在保持晶片并使其旋转的旋转保持部与罩的内周面之间的排气路径的上方以覆盖该排气路径的方式设置网状的收集部件，由该收集部件收集丝状异物、棉状异物。而且，在形成涂敷膜的步骤之后等，在收集部件清洗步骤中，将用于溶解固化为丝状的涂敷液的溶剂供给到收集部件，除去上述的丝状异物、棉状异物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：实用新型注册第3175893号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，在专利文献1公开的方法中，除了为形成涂敷膜所需的步骤之外，还需要收集部件清洗步骤，该收集部件清洗步骤非常耗费时间，因此在生产性的方面有改善的余地。尤其是，在使用粘度高的涂敷液的情况下，与粘度低的涂敷液相比，涂敷膜的干燥步骤等需要较长时间，因此对与生产性有关的改善，要求较高。

本发明是鉴于上述情况而完成的，在如上述的以所谓的旋转方式在基片上涂敷涂敷液的液体处理装置中，其目的在于不降低生产性而除去在旋转涂敷时产生的异物。

用于解决技术问题的技术手段

为了实现上述目的，本发明为一种能够在基片上涂敷涂敷液的液体处理装置，其特征在于，包括：保持上述基片并使其旋转的基片保持部；对由该基片保持部保持的上述基片涂敷涂敷液的涂敷液供给部；罩体，其以能够包围被上述基片保持部保持的上述基片的方式配置于上述基片保持部的外侧；设置在上述基片保持部与上述罩体的内周面之间的排气路径；涂敷液收集部，其以覆盖上述排气路径的方式设置在该排气路径的上方，且具有在上下方向连通的开口部；溶剂供给部，其对上述涂敷液收集部供给上述涂敷液的溶剂；和中继部，其位于上述涂敷液收集部的上方，从上述罩体的内周面向上述涂敷液收集部突出。