[发明专利]面向2.6～4.0微米中红外全固体激光器的钴铒双掺激光晶体

权利要求书

1.一种面向2.6～4.0微米中红外全固体激光器的钴铒双掺激光晶体，其特征在于，所述激光晶体的掺杂离子为钴离子Co²⁺和铒离子Er³⁺共掺杂，其中所述Co²⁺作为发光离子，所述Er³⁺作为所述Co²⁺的敏化离子；所述激光晶体在半导体激光器泵浦下，Er³⁺有效吸收能量，在基质材料声子能量的辅助下，发生从Er³⁺到Co²⁺的有效能量传递，将能量转移给Co²⁺离子，实现Er³⁺离子的敏化功能，使激光晶体适合半导体激光器泵浦；

所述Er³⁺的掺杂浓度为：0.1～1mol％；

所述基质材料选自氟化钇钡、氟化镥锂、氟化钇锂、氟化铅、氟化钙、氟化镁、KPb₂Br₅和KPb₂Cl₅中一种。

2.根据权利要求1所述的面向2.6～4.0微米中红外全固体激光器的钴铒双掺激光晶体，其特征在于，所述激光晶体用于实现2.6～4.0微米波段全固态激光输出。

3.根据权利要求1所述的面向2.6～4.0微米中红外全固体激光器的钴铒双掺激光晶体，其特征在于，所述Co²⁺的掺杂浓度范围为：0.1～50mol％。

4.根据权利要求1所述的面向2.6～4.0微米中红外全固体激光器的钴铒双掺激光晶体，其特征在于，所述半导体激光器所采用的泵浦源为920～1020纳米。

5.根据权利要求4所述的面向2.6～4.0微米中红外全固体激光器的钴铒双掺激光晶体，其特征在于，所述半导体激光器所采用的泵浦源为780～830纳米。