[发明专利]阵列基板、电致发光显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910112042.7 | 申请日: | 2019-02-13 |
公开(公告)号: | CN109801951B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 袁德 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 电致发光 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置,通过使第一类电致发光二极管包括层叠设置的第一电极、具有纳米颗粒的发光结构层以及第二电极。由于纳米颗粒可以提高所在的第一类电致发光二极管的发光效率,在达到同样的发光亮度时,所需的驱动电流或驱动电压则越小,以提高寿命。通过使第二类电致发光二极管包括层叠设置的第一电极、第一电致发光层,能量转移层以及第二电极。由于能量转移层可以降低所在的第二类电致发光二极管的开启电压,因此,开启电压较低,所需要的驱动电压较小,给驱动晶体管预留的电压较大。使驱动晶体管稳定的工作在饱和区,进而防止驱动电流衰减,提高寿命。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)等电致发光二极管作为一种主动型发光器件,体现出了巨大的应用潜力,因而受到了学术界和产业界的强烈关注。由于电致发光显示面板相对于液晶显示面板(Liquid Crystal Display, LCD),具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被公认为是有望取代LCD的下一代显示技术。然而,目前制约电致发光显示面板发展的一个重要因素是有机发光二极管的寿命。因此提高电致发光显示面板的使用寿命是目前亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、电致发光显示面板及显示装置,用以提供电致发光二极管的寿命。
本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:衬底基板,设置于所述衬底基板上的多个电致发光二极管;所述多个电致发光二极管包括:第一类电致发光二极管和/或第二类电致发光二极管;
所述第一类电致发光二极管包括层叠设置的第一电极、具有纳米颗粒的发光结构层以及第二电极;其中,所述纳米颗粒被配置为提高所述第一类电致发光二极管的发光效率;和/或,
所述第二类电致发光二极管包括层叠设置的第一电极、第一电致发光层,能量转移层以及第二电极;其中,所述能量转移层被配置为降低所述第二类电致发光二极管的开启电压。
可选地,在本发明实施例中,所述发光结构层包括:第二电致发光层和纳米颗粒;
所述纳米颗粒分散设置于所述第二电致发光层的表面上;和/或,
所述纳米颗粒分散设置于所述第二电致发光层内部。
可选地,在本发明实施例中,所述纳米颗粒设置于所述第二电致发光层面向所述电致发光二极管的出光侧的表面上。
可选地,在本发明实施例中,所述纳米颗粒包括:金属纳米颗粒、金属氧化物纳米颗粒以及氧化硅纳米颗粒中的至少一种。
可选地,在本发明实施例中,所述第二电致发光层的材料为磷光电致发光材料。
可选地,在本发明实施例中,所述第一类电致发光二极管还包括:设置于所述发光结构层和所述第一电极之间的空穴传输层,以及设置于所述空穴传输层和所述第一电极之间的空穴注入层、设置于所述发光结构层和所述第二电极之间的电子传输层,以及设置于所述电子传输层和所述第二电极之间的电子注入层。
可选地,在本发明实施例中,所述第一电致发光层的材料为荧光电致发光材料。
可选地,在本发明实施例中,所述能量转移层的材料包括:富勒烯材料。
可选地,在本发明实施例中,所述第二类电致发光二极管还包括:设置于所述第一电致发光层和所述第一电极之间的空穴传输层,以及设置于所述空穴传输层和所述第一电极之间的空穴注入层、设置于所述能量转移层和所述第二电极之间的电子传输层,以及设置于所述电子传输层和所述第二电极之间的电子注入层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的