[发明专利]半导体装置

说明书

提供一种半导体装置，能够降低电感。实施方式的半导体装置具备：基板；金属层；设置在金属层之上、且具有上部电极和下部电极的半导体芯片；与上部电极电连接的第一配线板，设置在基板的上方，具有第一板状部、第二板状部和第三板状部，第一板状部与第二板状部平行，第三板状部连接在第一板状部的一端和第二板状部的一端；以及与金属层电连接的第二配线板，设置在基板的上方，具有第五板状部、第六板状部和第七板状部，第五板状部与第六板状部平行，第七板状部连接在第五板状部的一端和第六板状部的一端，第一板状部和第二板状部设置在第五板状部与第六板状部之间，半导体芯片位于包含第五板状部的平面和包含第六板状部的平面之间。

本申请主张享有以日本专利申请2018－173126号(申请日：2018年9月14日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在功率半导体模块中，例如，在金属基板的上方，隔着绝缘基板安装有多个功率半导体芯片。功率半导体芯片例如是MOSFET(Metal Oxide Field Effect Transistor，金属氧化物场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)、或者二极管。若功率半导体模块内部的配线电感大，则会产生开关损失变大的问题。

发明内容

实施方式提供能够降低配线电感的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：基板；上述基板之上的金属层；至少一个半导体芯片，设置在上述金属层之上，具有上部电极和与上述金属层电连接的下部电极；与上述上部电极电连接的第一配线板，设置在上述基板的上方，具有第一板状部、第二板状部和第三板状部，上述第一板状部、上述第二板状部和上述第三板状部与上述基板垂直，上述第一板状部与上述第二板状部平行，上述第三板状部与上述第一板状部以及上述第二板状部垂直，上述第三板状部连接在上述第一板状部的一端和上述第二板状部的一端；以及与上述金属层电连接的第二配线板，设置在上述基板的上方，具有第五板状部、第六板状部和第七板状部，上述第五板状部、上述第六板状部和上述第七板状部与上述基板垂直，上述第五板状部与上述第六板状部平行，上述第七板状部与上述第五板状部以及上述第六板状部垂直，上述第七板状部连接在上述第五板状部的一端和上述第六板状部的一端，上述第一板状部和上述第二板状部设置在上述第五板状部与上述第六板状部之间，上述至少一个半导体芯片位于包含上述第五板状部的平面与包含上述第六板状部的平面之间。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图2是第一实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图3是第一实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图4是第一实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图5是第一实施方式的半导体装置的作用以及效果的说明图。

图6是第二实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图7是第三实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图8是第三实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图9是第三实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图10是第四实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图11是第四实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图12是第五实施方式的半导体装置的示意剖视图。

图13是第六实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图14是第七实施方式的半导体装置的示意俯视图。

具体实施方式