[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一衬底，包括：

一半导体衬底；

一绝缘层，设置于该半导体衬底之上；以及

一半导体层，设置于该绝缘层之上，该半导体层具有一第一导电类型；

一第一埋置层，设置于该半导体层中，该第一埋置层具有该第一导电类型；

一第二埋置层，设置于该半导体层中的该第一埋置层之上，该第二埋置层具有一第二导电类型；

一外延层，设置于该衬底之上，该外延层具有该第一导电类型，其中该外延层设置于该半导体层之上；

一漂移区，设置于该外延层中，该漂移区具有该第二导电类型，该第二导电类型与该第一导电类型相反；

一射极区，设置于该漂移区之外的该外延层中；

一集极区，设置于该漂移区中；以及

一掺杂区，设置于相邻该漂移区的一底面，该掺杂区具有该第一导电类型，其中该掺杂区包括在该漂移区中的一部分和在该漂移区之外的一部分，且该漂移区的该底面横向穿过该掺杂区，其中该掺杂区的一底面与该第二埋置层以设置于该掺杂区和该第二埋置层之间的该外延层的一部分隔开。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在该漂移区中的该掺杂区的该部分相较于该漂移区的上表面更靠近该漂移区的该底面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在该漂移区之外的该掺杂区的该部分设置于该漂移区下方的该外延层中。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该射极区具有该第二导电类型，且该集极区具有该第一导电类型。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一栅极结构，设置于该外延层之上，其中该栅极结构部分覆盖该漂移区。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一阱，设置于该外延层中且相邻该漂移区，该阱具有该第一导电类型，其中该射极区设置于该阱中；以及

一基极区，设置于该阱中且相邻于该射极区，该基极区具有该第一导电类型；

其中该栅极结构部分覆盖该阱。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一隔离部件，设置于该漂移区上，其中该栅极结构部分覆盖该隔离部件。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一阱，设置于该漂移区中，该阱具有该第二导电类型，其中该集极区设置于该阱中。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一导电类型是P型且该第二导电类型是N型。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一衬底，包括：

一半导体衬底；

一绝缘层，设置于该半导体衬底之上；以及

一半导体层，设置于该绝缘层之上，该半导体层具有一第一导电类型；

一第一埋置层，设置于该半导体层中，该第一埋置层具有该第一导电类型；

一第二埋置层，设置于该半导体层中的该第一埋置层之上，该第二埋置层具有一第二导电类型；

一外延层，设置于该衬底之上，该外延层具有该第一导电类型，其中该外延层设置于该半导体层之上；

一漂移区，设置于该外延层中，该漂移区具有该第二导电类型，该第二导电类型与该第一导电类型相反；

一第一掺杂区，设置于该漂移区之外的该外延层中，该第一掺杂区具有该第二导电类型；

一第二掺杂区，设置于该漂移区中，该第二掺杂区具有该第一导电类型；以及

多个第三掺杂区，设置于相邻该漂移区与该外延层之间的一接面，所述多个第三掺杂区具有该第一导电类型，其中该多个第三掺杂区包括在该漂移区中的一部分和在该漂移区之外的一部分，且该漂移区的一底面横向穿过该多个第三掺杂区，其中该多个第三掺杂区的一底面与该第二埋置层以设置于该多个第三掺杂区和该第二埋置层之间的该外延层的一部分隔开。