[发明专利]一种扇出型封装方法有效
申请号: | 201910113228.4 | 申请日: | 2019-02-14 |
公开(公告)号: | CN109860065B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 王耀尘;白祐齐;石磊;夏鑫 | 申请(专利权)人: | 南通通富微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L23/31;H01L25/18 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 扇出型 封装 方法 | ||
1.一种扇出型封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:
提供载盘,所述载盘包括相背设置的第一侧和第二侧;
将至少一个芯片的背面固定在所述载盘的所述第一侧上,其中,所述芯片设置有正面及所述背面,所述正面设置有焊盘,且对应所述焊盘的位置设置有光阻;
在所述载盘的所述第一侧上形成塑封层;
研磨所述塑封层背对所述芯片的表面,以使得所述光阻露出;其中,所述塑封层覆盖所述芯片的正面中除所述光阻外的区域。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述在将至少一个芯片的背面固定在所述载盘的所述第一侧上之前,所述封装方法还包括:
提供至少一个圆片,所述圆片设有正面及背面,所述圆片设有若干矩阵排列的芯片,所述芯片之间设有划片槽;所述芯片的正面即所述圆片的正面,所述芯片的背面即所述圆片的背面;
在所述芯片的所述焊盘上形成所述光阻;
研磨所述圆片的所述背面,以使得所述圆片的厚度小于等于阈值;
对所述圆片的所述划片槽进行切割,以获得单颗所述芯片。
3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,
所述圆片包括第一圆片和第二圆片,所述对所述圆片的所述划片槽进行切割包括:对所述第一圆片切割获得第一芯片,对所述第二圆片切割获得第二芯片;
所述将至少一个芯片的背面固定在所述载盘的所述第一侧上,包括:将至少一个所述第一芯片的背面和至少一个所述第二芯片的背面固定在所述载盘的所述第一侧上。
4.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述研磨所述塑封层背对所述芯片的表面,以使得所述光阻露出,之后,所述封装方法还包括:
去除所述光阻;
在所述芯片的所述正面形成图案化的金属再布线层,其中,所述金属再布线层与所述焊盘电连接,所述金属再布线层远离所述芯片的一侧在同一水平面上。
5.根据权利要求4所述的封装方法,其特征在于,
所述在所述芯片的所述正面形成金属再布线层之前,所述封装方法还包括:在所述塑封层远离所述芯片一侧形成第一介电层,且所述第一介电层对应所述焊盘的位置设置有第一开口;
所述在所述芯片的所述正面形成金属再布线层,包括:在所述第一介电层上形成金属再布线层。
6.根据权利要求5所述的封装方法,其特征在于,所述在所述第一介电层上形成金属再布线层之后,所述封装方法还包括:
在所述金属再布线层上形成第二介电层,且所述第二介电层上设置有第二开口;
在所述第二开口内植焊球,所述焊球、所述金属再布线层电连接。
7.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述研磨所述塑封层远离所述芯片的表面之前,所述封装方法还包括:
去除所述载盘。
8.根据权利要求7所述的封装方法,其特征在于,所述去除所述载盘之后,所述封装方法还包括:
在所述芯片的背面设置保护膜。
9.根据权利要求8所述的封装方法,其特征在于,所述将至少一个芯片的背面固定在所述载盘的所述第一侧上,包括:将至少两个所述芯片的背面固定在所述载盘的所述第一侧上;
所述在所述芯片的背面设置保护膜之后,所述封装方法还包括:切割至少两个所述芯片之间的区域以形成单个封装器件,其中,单个所述封装器件中包含至少一个所述芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通通富微电子有限公司,未经南通通富微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910113228.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆级系统封装方法以及封装结构
- 下一篇:用于接合半导体装置的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造