[发明专利]光电半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种光电半导体装置的制造方法，包括：

提供矩阵基板，其中所述矩阵基板包括基材与矩阵电路，所述矩阵电路设置于所述基材上；

由暂时性基材上将多个微尺寸光电半导体元件转置至所述矩阵基板上，其中所述微尺寸光电半导体元件间隔设置于所述矩阵基板上，且各所述微尺寸光电半导体元件的至少一个电极分别与所述矩阵电路电性连接；

形成保护层完全覆盖所述微尺寸光电半导体元件，其中所述保护层的高度大于所述微尺寸光电半导体元件的高度；以及

研磨所述保护层，并将所述保护层研磨至与所述微尺寸光电半导体元件等高时持续研磨，直到各所述微尺寸光电半导体元件的背表面上的残留物及所述背表面被去除而露出各所述微尺寸光电半导体元件远离所述矩阵基板的新表面为止。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中各所述微尺寸光电半导体元件分别具有重迭设置的p半导体层、发光层、n半导体层、未掺杂层与缓冲层，所述研磨工艺去除所述缓冲层与部分的所述未掺杂层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述研磨工艺去除所述缓冲层，并使所述未掺杂层的厚度小于1.8微米。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述研磨工艺除使所述微尺寸光电半导体元件的所述背表面被抛平，也使所述微尺寸光电半导体元件的所述新表面与邻接的所述保护层远离所述矩阵基板的表面位于同一水平面，且使所述保护层与所述微尺寸光电半导体元件的高度差小于0.02微米。

5.根据权利要求1所述的制造方法，进一步包括：

设置保护基材于所述微尺寸光电半导体元件上，使所述微尺寸光电半导体元件与所述保护层位于所述保护基材与所述矩阵基板之间。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中所述保护层与所述保护基材的折射率相等，或相差10％以内。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其中所述保护层的折射率介于所述保护基材与所述微尺寸光电半导体元件之间。