[发明专利]阶梯式元件及其制造方法

权利要求书

1.一种阶梯式元件的制造方法，包括：

提供基底；

在所述基底上形成垫层；

在所述垫层两侧的所述基底中形成隔离结构，其中所述隔离结构突出于所述基底且高于所述垫层；

在所述垫层与高于所述垫层的所述隔离结构上形成掩模材料层；

利用倾斜角离子注入法对部分所述掩模材料层进行掺杂制作工艺，而使得所述掩模材料层具有掺杂部与未掺杂部，其中所述掺杂部与所述未掺杂部在蚀刻制作工艺中的蚀刻速率不同；

对所述掩模材料层进行所述蚀刻制作工艺，以移除所述掺杂部与所述未掺杂部中的一者，而形成暴露出部分所述垫层的掩模层；

移除由所述掩模层所暴露出的部分所述垫层，而暴露出部分所述基底；以及

移除由所述垫层所暴露出的部分所述基底，而在所述基底中形成凹陷，而使得位于主动区中的所述基底具有阶梯式结构，且所述阶梯式结构的高度在通道宽度方向上从所述主动区的一端至另一端逐步降低。

2.如权利要求1所述的阶梯式元件的制造方法，其中部分所述基底的移除方法包括干式蚀刻法。

3.如权利要求1所述的阶梯式元件的制造方法，其中在移除部分所述基底的步骤中，同时移除所述掩模层。

4.如权利要求1所述的阶梯式元件的制造方法，

其中所述掩模材料层的材料包括非晶硅或多晶硅，且所述掺杂制作工艺所使用的掺质包括硼离子或氟化硼离子。

5.如权利要求4所述的阶梯式元件的制造方法，

其中所述蚀刻制作工艺包括湿式蚀刻制作工艺，且所述湿式蚀刻制作工艺所使用的蚀刻剂包括稀释的氨水或四甲基氢氧化铵。

6.如权利要求1所述的阶梯式元件的制造方法，还包括：

在所述基底上形成介电层；以及

在所述介电层上形成栅极。

7.一种由权利要求1至6中任一项所述的制造方法制造的阶梯式元件，其特征在于，包括基底，其中位于主动区中的所述基底具有阶梯式结构，且所述阶梯式结构的高度在通道宽度方向上从所述主动区的一端至另一端逐步降低。

8.如权利要求7所述的阶梯式元件，其中所述阶梯式结构包括两阶式结构，且所述阶梯式结构包括彼此相连的第一阶与第二阶。

9.如权利要求7所述的阶梯式元件，还包括：

栅极，位于所述基底上；以及

介电层，位于所述栅极与所述基底之间。