[发明专利]一种标记的处理方法、套刻精度的量测方法以及标记

权利要求书

1.一种标记的处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供基底结构，执行第一次光刻工艺，在所述基底结构的上表面形成第一标记，在所述基底结构的上表面具有围绕在所述第一标记四周的顶层结构层；

从所述基底结构的上表面向下去除一定厚度的所述顶层结构层，以使所述第一标记与所述顶层结构层具有第一高度差；

所述第一标记用于在硬掩膜层的覆盖下进行套刻精度的量测。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第一标记的步骤具体包括：执行所述第一次光刻工艺，形成第一图案化层；以所述第一图案化层为掩膜，刻蚀所述基底结构，至少在所述顶层结构层上形成开口；在所述开口内形成所述第一标记。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一标记的材料不同于所述顶层结构层的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除一定厚度的所述顶层结构层通过干法刻蚀工艺完成。

5.一种套刻精度的量测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

执行权利要求1至4中任意一项所述标记的处理方法中的步骤；

执行第二次光刻工艺；基于所述第一标记进行套刻精度的量测。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述执行第二次光刻工艺的步骤包括：

在所述基底结构的上表面上形成硬掩膜层；在进行所述套刻精度的量测时，所述硬掩膜层未被去除。

7.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法中包括权利要求1至4中任意一项所述标记的处理方法或者权利要求5至6中任意一项所述的套刻精度的量测方法中的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一标记为所述三维存储器的切割道区域内的沟道通孔。

9.一种标记，其特征在于，所述标记凸出于围绕在其四周的顶层结构层，并且与所述顶层结构层具有第一高度差；所述标记用于进行套刻精度的量测，基于所述第一高度差，使得所述标记在上表面被硬掩膜层覆盖的情况下能够通过电子显微镜观察到所述标记与所述顶层结构层之间的界限。

10.根据权利要求9所述的标记，其特征在于，所述标记的材料不同于所述顶层结构层的材料。

11.一种三维存储器，其特征在于，包括权利要求9或10所述的标记。