[发明专利]热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置在审

专利信息
申请号: 201910113884.4 申请日: 2019-02-14
公开(公告)号: CN110277361A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 金载春;金荣得;玄荣勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/38 分类号: H01L23/38;H01L35/32
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体基板 热辐射装置 第一电极 半导体封装件 半导体装置 电极电连接 第二电极 电极设置 贯穿
【说明书】:

提供了一种热辐射装置、包括其的半导体封装件和半导体装置。热辐射装置包括半导体基板。第一电极设置在半导体基板上。第二电极设置在半导体基板上并与第一电极间隔开。第一贯穿电极设置在半导体基板中。第一贯穿电极电连接到第一电极。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年3月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0029202的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及散热,并且更具体地涉及热辐射装置、包括该热辐射装置的半导体封装件以及包括该热辐射装置的半导体装置。

背景技术

为了适应外型更小的具有更多功能的半导体芯片,已经将多个半导体芯片竖直地堆叠在单个基板或封装件上。随着更多半导体芯片被堆叠在单个封装件内,并且随着这些半导体芯片的时钟速度的增加,散热成为更大的挑战。未及时消散的过多热可能导致各种故障或运行速度延迟。

发明内容

热辐射装置包括半导体基板。第一电极设置在所述半导体基板上。第二电极设置在所述半导体基板上并与所述第一电极间隔开。第一贯穿电极设置在所述半导体基板中。所述第一贯穿电极电连接到所述第一电极。

半导体封装件包括设置在封装基板上的至少一个半导体芯片。热辐射装置设置在所述至少一个半导体芯片上。热辐射装置包括半导体基板,所述半导体基板具有与所述至少一个半导体芯片相邻的底表面和面向所述底表面的顶表面。第一电极和第二电极均与所述半导体基板接触并且彼此间隔开。第一贯穿电极从所述半导体基板的所述顶表面朝向所述半导体基板的所述底表面延伸。

半导体装置包括具有彼此面对的第一表面和第二表面的半导体基板。多个电路图案设置在所述第一表面上。层间电介质层覆盖所述第一表面。第一电极和第二电极均设置在所述第二表面上并且彼此间隔开。

附图说明

通过参考下面结合附图考虑的详细描述,对本公开更完整的认识和本公开的许多附随的方面将容易获得,同时其变得更好地理解,其中:

图1是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的热辐射装置的截面图;

图2是示出了图1的热辐射装置的分解透视图;

图3是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的热辐射装置的截面图;

图4是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的热辐射装置的截面图;

图5是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的热辐射装置的截面图;

图6是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件的俯视图;

图7是沿着图6中的线A-A'截取的截面图;

图8是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件的截面图;以及

图9是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的半导体封装件的截面图。

具体实施方式

现在将参照附图详细描述本发明构思的一些示例性实施例。在本说明书中,为了清楚起见,使用了特定术语。然而,本公开不意图限于如此选择的特定术语,应当理解,每个特定元件包括以类似方式操作的所有技术等同物。

图1是示出了根据本发明构思的一些示例性实施例的热辐射装置的截面图。图2是示出了图1的热辐射装置的分解透视图。

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