[发明专利]碳化硅晶棒多线切割方法

说明书

一种碳化硅晶棒的多线切割方法，包括：在碳化硅晶棒的端面粘贴陪片；对粘贴有所述陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，切割产生多个晶片，最外侧的所述晶片为端面晶片，所述端面晶片之外的所述晶片为中间晶片；分离所述陪片和所述端面晶片。所述碳化硅晶棒的多线切割方法提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。

技术领域

本发明属于半导体材料加工领域，尤其涉及一种碳化硅晶棒多线切割方法。

背景技术

随着半导体技术和光电技术的快速发展，碳化硅晶片的需求量逐年增大。碳化硅晶片主要制造工艺流程为：晶体生长—切割(切片)—研磨—抛光。其中，切割工序是碳化硅晶片制造加工中的关键工序之一。切割加工质量的好坏，直接影响后续工序加工的质量。

切割工序得到的晶片中，晶片翘曲度(Warp)是评价晶片变形的重要指标。晶片翘曲度通常指不受外力影响下，晶片的中间面最高点与最低点的距离。在实际生产中，晶片翘曲度通常难以修复，并且会导致在后续的加工中，晶片轴线与晶轴偏离，影响后续加工质量。因此，在切割过程中，需要严格控制晶片翘曲度的值。

然而，现有多线切割方法切割得到的碳化硅晶片中，易出现端面晶片(端面晶片)的晶片翘曲度不符合满足要求的情况。并且，碳化硅晶片尺寸越大，端面晶片的这种晶片翘曲度不符合要求的情况越严重。

更多相应内容，可以参考公开号为CN104400920A的中国专利申请，其公开了一种减少晶棒在切割过程中产生头尾片的粘棒装置及其粘棒方法。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种碳化硅晶棒多线切割方法，提高碳化硅晶棒的端面晶片质量和良品率，降低碳化硅晶片的加工成本。

为解决上述问题，本发明提供一种碳化硅晶棒多线切割方法，包括：在碳化硅晶棒的端面粘贴陪片；对粘贴有所述陪片的所述碳化硅晶棒进行多线切割，切割产生多个晶片，最外侧的所述晶片为端面晶片，所述端面晶片之外的所述晶片为中间晶片；分离所述陪片和所述端面晶片。

可选的，所述陪片的形状为圆柱形。

可选的，所述端面晶片的厚度等于所述中间晶片的厚度；所述陪片的厚度等于所述中间晶片的厚度；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割；

或者，所述端面晶片的厚度等于所述中间晶片的厚度；所述陪片的厚度大于所述中间晶片的厚度；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，还同时对所述陪片进行切割，被切割的所述陪片的厚度等于所述中间晶片的厚度；

或者，所述端面晶片的厚度等于所述中间晶片的厚度；所述陪片的厚度小于或等于所述中间晶片的厚度；所述碳化硅晶棒的至少一个所述端面上，粘贴多个所述陪片；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割。

可选的，所述端面晶片的厚度小于所述中间晶片的厚度；所述陪片和所述端面晶片的粘贴总厚度大于或等于所述中间晶片的厚度；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割；

或者，所述端面晶片的厚度小于所述中间晶片的厚度；所述陪片和所述端面晶片的粘贴总厚度大于所述中间晶片的厚度；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片进行切割，被切割的所述陪片的厚度，加上粘贴着的所述端面晶片的厚度，等于所述中间晶片的厚度；

或者，所述端面晶片的厚度小于所述中间晶片的厚度；所述陪片的厚度小于或等于所述中间晶片的厚度；所述碳化硅晶棒的至少一个所述端面上，粘贴多个所述陪片；在对所述碳化硅晶棒进行多线切割时，同时对所述陪片和所述碳化硅晶棒的粘贴位置进行切割。

可选的，所述端面晶片的厚度在400μm以上，所述中间晶片的厚度为500μm～650μm。