[发明专利]一种用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统

权利要求书

1.一种用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统，其特征在于，包括：真空腔体、质量流量控制系统、真空抽气系统和电浆电源供应器；

所述真空腔体设置有进气管道和抽气管道；所述真空抽气系统通过抽气管道与真空腔体内部连通；所述质量流量控制系统通过进气管道与真空腔体内部连通，用于向真空腔体内部持续充入用于产生电浆的气体，并间断地充入反应物；

所述真空腔体内部设置有上方电极、下方电极和基材支架；所述基材支架位于上方电极和下方电极之间，用于固定基材；所述下方电极上部设置有固定金属靶材的靶材支架；所述上方电极和下方电极均连接至电浆电源供应器，用于在电浆电源供应器的作用下与用于产生电浆的气体反应产生电浆，使充入真空腔体内部的反应物在电浆的作用下进行高分子聚合反应，以及使金属靶材在电浆的作用下进行金属溅镀，从而在基材表面交替形成高分子薄膜和金属薄膜；所述靶材支架上设有靶材挡板，所述靶材挡板通过一连接杆与连接外部的控制阀，用于在进行高分子聚合反应时挡住金属靶材；所述基材支架通过旋转轴连接有一旋转杆，并通过旋转杆的作用进行旋转，用于将基材旋转至相应的反应区域。

2.如权利要求1所述的用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统，其特征在于，所述质量流量控制系统，包括第一质量流量控制器、第二质量流量控制器、第三质量流量控制器和第四质量流量控制器；所述第一质量流量控制器、第二质量流量控制器、第三质量流量控制器和第四质量流量控制器均通过进气管道与真空腔体内部连通；所述第一质量流量控制器用于向真空腔体内部充入所述反应物中的四甲基双硅氧烷；所述第二质量流量控制器用于向真空腔体内部充入所述反应物中的氧气；所述第三质量流量控制器用于向真空腔体内部充入氮气；所述第四质量流量控制器用于向真空腔体内部充入氩气。

3.如权利要求2所述的用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统，其特征在于，所述质量流量控制系统，还包括电性连接至所述第一质量流量控制器、第二质量流量控制器、第三质量流量控制器和第四质量流量控制器的质量流量总控制器，用于调节所述第一质量流量控制器、第二质量流量控制器、第三质量流量控制器和第四质量流量控制器的流量。

4.如权利要求2所述的用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统，其特征在于，所述第一质量流量控制器为蒸汽质量流量控制器，并连接有质量流量温度控制器，用于控制所述第一质量流量控制器的温度。

5.如权利要求2所述的用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统，其特征在于，所述进气管道，包括设置在真空腔体上部的第一进气管道和设置在真空腔体下部的第二进气管道；所述第一质量流量控制器和第二质量流量控制器通过第一进气管道与真空腔体内部连通；所述第三质量流量控制器和第四质量流量控制器通过第二进气管道与真空腔体内部连通。

6.如权利要求5所述的用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统，其特征在于，所述上方电极和下方电极均包括：电极主体和电极护板；所述电极主体与电极护板固定连接形成中空的电极腔体；所述电极护板具有多个进气通孔；所述第一进气管道与上方电极的电极腔体连通；所述第二进气管道与下方电极的电极腔体连通。

7.如权利要求6所述的用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统，其特征在于，所述下方电极的电极腔体内呈圈状均匀放置有永久磁铁。

8.如权利要求1所述的用于制备金属-高分子多层复合薄膜的真空镀膜系统，其特征在于，所述真空抽气系统，包括依次连通的压力调节阀、油旋转泵和罗茨泵；所述压力调节阀还通过进气管道与真空腔体内部连通。