[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

基板；

第1层叠体，其包括在与所述基板的表面交叉的第1方向上层叠的多个第1导电层；

第2层叠体，其包括在所述第1方向上层叠的多个第2导电层，并且在与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1层叠体相邻；

多个半导体部，其设置于所述第1层叠体与所述第2层叠体之间，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上配设，并且具备与所述多个第1导电层相对的第1半导体层、与所述多个第2导电层相对的第2半导体层以及设置于所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的第1绝缘层；

第1存储部，其在所述第1导电层与所述第1半导体层之间存储信息；

第2存储部，其在所述第2导电层与所述第2半导体层之间存储信息；以及

第2绝缘层，其设置于在所述第3方向上相邻的所述半导体部之间，

所述第1绝缘层的所述第2方向上的宽度，在所述第1方向上的第1位置处以及所述第1方向上的与所述第1位置不同的第2位置处为极大，

若将与所述第1方向交叉且所述第1绝缘层的所述第2方向上的宽度在所述第1位置与所述第2位置之间的范围内最小的至少一个截面设为第1截面，

将该第1截面中的从所述第2绝缘层的几何学上的重心到所述第1层叠体或所述第2层叠体为止的最短距离设为D1，

将与所述第1方向交叉且所述第1绝缘层的所述第2方向上的宽度最大的至少一个截面设为第2截面，并且

将该第2截面中的所述第1层叠体的与预定的所述半导体部相对的相对面和所述第2层叠体的与所述预定的半导体部相对的相对面之间的距离设为D2，

则2D1＞D2成立。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1绝缘层的所述第2方向上的宽度在所述第1方向上的多个位置处为极大，

所述第1绝缘层的所述第2方向上的宽度为极大的所述多个位置中的、离所述基板最近的位置为所述第1位置，离所述基板最远的位置为所述第2位置。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1绝缘层具备在所述第1方向上延伸的第1绝缘部和与所述第1绝缘部相比离所述基板较远地在所述第1方向上延伸的第2绝缘部，

所述第2绝缘层具备在所述第1方向上延伸的第3绝缘部和与所述第3绝缘部相比离所述基板较远地在所述第1方向上延伸的第4绝缘部，

若将所述第1绝缘部的所述第2方向上的中心位置与所述第2绝缘部的所述第2方向上的中心位置之间的距离设为d1，并且

将所述第2绝缘部的所述第2方向上的中心位置与所述第4绝缘部的所述第2方向上的中心位置在所述第2方向上的距离设为d2，

则d1＞d2成立。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

所述第1绝缘层具备在所述第1方向上延伸的第1绝缘部和与所述第1绝缘部相比离所述基板较远地在所述第1方向上延伸的第2绝缘部，

所述第2绝缘层具备在所述第1方向上延伸的第3绝缘部和与所述第3绝缘部相比离所述基板较远地在所述第1方向上延伸的第4绝缘部，

所述第1绝缘部连接于所述第2绝缘部，

所述第3绝缘部连接于所述第4绝缘部。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，

在所述第1截面，所述第1层叠体及所述第2层叠体中的至少一方具备：

与所述半导体部相对的第1面；和

与所述第2绝缘层接触的第2面，

所述第1面及所述第2面形成连续的曲面。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，具备：

第3绝缘层，其设置于所述第1层叠体与所述第1半导体层之间，包括所述第1存储部；和

第4绝缘层，其设置于所述第2层叠体与所述第2半导体层之间，包括所述第2存储部，

所述第2截面中的所述距离D2为从所述第1层叠体与所述第3绝缘层的界面到所述第2层叠体与所述第4绝缘层的界面为止的距离。