[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201910116388.4 | 申请日: | 2019-02-15 |
公开(公告)号: | CN111584643A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 辛科;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0392;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括基板以及依次层叠设置于所述基板一侧表面的底电极层、光吸收层、缓冲层及前电极层;
其中,所述缓冲层包括Zn(S,O)膜层;
所述前电极层包括掺硼氧化锌膜层。
2.根据权利要求1中所述太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池还包括高阻层,所述高阻层为本征氧化锌层,所述本征氧化锌层设置于所述缓冲层与所述掺硼氧化锌膜层之间;
所述光吸收层为铜铟镓硒膜层、铜铟硒膜层、砷化镓膜层中的一种。
3.根据权利要求2中所述太阳能电池,其特征在于,
所述缓冲层的厚度为10nm-70nm;所述本征氧化锌层的厚度为10nm-70nm;所述掺硼氧化锌膜层的厚度为300nm-500nm。
4.根据权利要求1中所述太阳能电池,其特征在于,
所述Zn(S,O)膜层中氧原子的摩尔占比为5%-20%;
所述掺硼氧化锌膜层中硼原子的摩尔占比为1%-2%;
其中,所述氧原子的摩尔占比是指所述Zn(S,O)膜层中氧原子的摩尔数与该Zn(S,O)膜层中的所有原子总量的摩尔数之比,所述硼原子的摩尔占比是指所述掺硼氧化锌膜层中硼原子的摩尔数与该掺硼氧化锌膜层中的所有原子总量的摩尔数之比。
5.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,其包括:
在基板上制备底电极层;
在所述底电极层的表面制备光吸收层;
采用单原子层沉积工艺在所述光吸收层上制备包括Zn(S,O)膜层的缓冲层;
在所述缓冲层上制备前电极层。
6.根据权利要求5所述太阳能电池的制造方法,其特征在于,
在所述缓冲层上制备前电极层的步骤,包括:
采用低压力化学气相沉积工艺在所述缓冲层上制备包括掺硼氧化锌膜层的前电极层;
采用单原子层沉积工艺在所述缓冲层和所述掺硼氧化锌膜层之间制备本征氧化锌层。
7.根据权利要求5中所述太阳能电池的制造方法,其特征在于,
采用单原子层沉积工艺制备包括Zn(S,O)膜层的缓冲层的步骤包括:
第一前驱体源与第二前驱体源在第一预设温度、第一预设压力条件下,以脉冲的形式交替通入所述缓冲层反应腔室,持续反应第一预设时间,沉积制备所述Zn(S,O)膜层的缓冲层;
所述第一前驱体源包括:第一含锌前驱气体与氢气的混合气;
所述第二前驱体源包括:氩气、氧气组成的氩氧混合气与硫化氢的混合气;
其中,所述第一含锌前驱气体为二乙基锌、二甲基锌中的至少一种蒸发得到。
8.根据权利要求7中所述太阳能电池的制造方法,其特征在于,
采用单原子层沉积工艺制备包括Zn(S,O)膜层的缓冲层的步骤包括:
所述第一含锌前驱气体的进气速度为1500-2200sccm,所述氢气的进气速度为450-650sccm;
所述氩氧混合气的进气速度为1500-2200sccm,所述硫化氢气体的进气速度为1700-2400sccm;
其中,所述氩氧混合气中氧气与氩气的摩尔比为(3-6):(94-97)。
9.根据权利要求8中所述太阳能电池的制造方法,其特征在于,
所述第一预设温度为150-170摄氏度,所述第一预设压力为0.3-0.7mBar,所述第一预设反应时间为40-60秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的