[发明专利]三维存储器的失效分析方法

权利要求书

1.一种三维存储器的失效分析方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一存储区域，所述存储区域包括多条平行设置的阵列共源极，相邻阵列共源极之间具有插塞，所述插塞的端部用于与字线电连接；

获取与失效字线电连接的目标插塞的位置；

分别测量每一所述阵列共源极与所述目标插塞之间的漏电曲线；

判断与多条阵列共源极一一对应的多条漏电曲线是否均为二极管特性曲线，若是，则形成连接线于所述存储区域，所述连接线电连接所述存储区域内的所有阵列共源极；形成所述连接线后，分别引出所述目标插塞的触点与一所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部，以对所述失效字线进行热点定位分析。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，获取与失效字线电连接的目标插塞的位置的具体步骤包括：

采用电压对比法获取所述存储区域的插塞表征图像，根据所述插塞表征图像中每一插塞的对比度确定与出现短路的失效字线电连接的目标插塞位置。

3.根据权利要求1所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，分别测量每一所述阵列共源极与所述目标插塞之间的漏电曲线的具体步骤包括：

分别采用第一探针、第二探针引出所述目标插塞的触点、所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部；

检测所述第一探针与所述第二探针之间的电性能，获取与一所述阵列共源极对应的一漏电曲线。

4.根据权利要求1所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，还包括如下步骤：

判断与多条阵列共源极一一对应的多条漏电曲线中是否存在直线型曲线，若是，则直接进行分别引出所述目标插塞的触点与直线型漏电曲线对应的所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部的步骤。

5.根据权利要求1所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，所述阵列共源极沿第一方向延伸，多条所述阵列共源极沿与所述第一方向平行的第二方向排列；形成连接线于所述存储区域的具体步骤包括：

沉积第一导电材料，形成沿第二方向延伸并电连接多条所述阵列共源极的连接线。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，所述阵列共源极包括：

位于所述存储区域相对两边缘的第一阵列共源极；

位于两个所述第一阵列共源极之间的至少一条第二阵列共源极，每一条所述第二阵列共源极由多段相互分隔的子阵列共源极构成。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，形成连接线于所述存储区域的具体步骤包括：

沉积第一导电材料，形成沿所述第一方向平行排列的若干条所述连接线，所述连接线电连接所述第一阵列共源极与所述子阵列共源极。

8.根据权利要求6所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，所述连接线与所述子阵列共源极的端部之间具有一预设间隙。

9.根据权利要求5所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，所述第一导电材料为钨。

10.根据权利要求1所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，形成连接线于所述存储区域的具体步骤包括：

采用聚焦离子束显微镜沉积第一导电材料于所述存储区域。

11.根据权利要求1所述的三维存储器的失效分析方法，其特征在于，分别引出所述目标插塞与一所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部的具体步骤包括：

于所述三维存储器外部形成用于热点定位分析的第一垫块和第二垫块；

沉积第二导电材料，同时形成第一引出线和第二引出线，所述第一引出线的一端连接所述目标插塞、另一端连接所述第一垫块，所述第二引出线的一端连接一所述阵列共源极、另一端连接所述第二垫块。