[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，相对于被加工物的第二区域，有选择地蚀刻该被加工物的第一区域，该第一区域含有硅和氮，该第二区域含有硅和/或锗，所述蚀刻方法的特征在于，反复执行包括如下步骤的流程，即：

使用氢等离子体，对包含所述第一区域的表面的所述第一区域的至少一部分进行改性，使该第一区域的该至少一部分形成第一改性区域的步骤；

使用氧等离子体，对包含所述第二区域的表面的所述第二区域的至少一部分进行改性，使该第二区域的该至少一部分形成第二改性区域的步骤；和

使用氟等离子体，相对于所述第二改性区域，有选择地蚀刻所述第一改性区域的步骤，

在反复执行所述流程时，改变以下执行时长中的至少一个执行时长，即：对所述第一区域的至少一部分进行改性的所述步骤的执行时长；对所述第二区域的至少一部分进行改性的所述步骤的执行时长；和蚀刻所述第一改性区域的所述步骤的执行时长。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

对所述第二区域的至少一部分进行改性的所述步骤，与对所述第一区域的至少一部分进行改性的所述步骤和蚀刻所述第一改性区域的所述步骤中的至少一个步骤同时执行。

3.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第二区域由所述第一区域覆盖。

4.如权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于：

在包含所述第二区域露出的时刻的期间执行所述流程。

5.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

对所述第一区域的至少一部分进行改性的所述步骤、对所述第二区域的至少一部分进行改性的所述步骤和蚀刻所述第一改性区域的所述步骤，在设置于等离子体处理装置的腔室中的支承台上载置有所述被加工物的状态下执行，

所述流程还包括在蚀刻所述第一改性区域的所述步骤之后对所述腔室中的内部空间进行吹扫的步骤。

6.如权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

在进行吹扫的所述步骤中，向所述内部空间供给含氢气体。

7.如权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于：

在执行所述流程时，向所述内部空间连续地供给所述含氢气体。

8.如权利要求5～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在进行吹扫的所述步骤中，没有生成等离子体。

9.如权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

对所述第一区域的至少一部分进行改性的所述步骤和蚀刻所述第一改性区域的所述步骤，在设置于等离子体处理装置的腔室中的支承台上载置有所述被加工物的状态下执行，

所述支承台包括被供给用于将离子引入到被加工物的偏置高频功率的下部电极，

对所述第一区域的至少一部分进行改性的所述步骤中的所述偏置高频功率大于蚀刻所述第一改性区域的所述步骤中的所述偏置高频功率。

10.如权利要求9所述的蚀刻方法，其特征在于：

在蚀刻所述第一改性区域的所述步骤中，生成氢等离子体。

11.如权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

作为所述第一区域的蚀刻速率与所述第二区域的蚀刻速率之比的选择比为10以上。