[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，该半导体器件设有具有主表面和与所述主表面相对的次表面的衬底，所述主表面在其中设有半导体有源器件，所述衬底具有衬底通孔，该衬底通孔从所述次表面穿过到达所述主表面中的所述半导体有源器件，所述方法包括以下步骤：

在所述次表面和所述衬底通孔内沉积含有镍(Ni)的第一金属层；

通过电镀在所述第一金属层上沉积第二金属层；

在所述第二金属层上沉积第三金属层，该第三金属层包含Ni和钛(Ti)中的至少一者；

通过部分地去除所述第三金属层，从而暴露除了所述衬底通孔和所述衬底通孔的周边之外的部分中的所述第二金属层；和

通过在所述衬底的所述次表面和组装衬底之间插入焊料，从而将所述半导体器件贴片在所述组装衬底上。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中沉积所述第一金属层的步骤依次沉积镍和铬的合金(NiCr)层和金(Au)层，NiCr层和Au层各自的厚度为50nm至200nm。

3.根据权利要求2所述的方法，

其中沉积所述第二金属层的步骤在除了对应于划线的区域之外的部分中进行金(Au)的选择性镀覆；

其中暴露所述第二金属层的步骤还包括：在部分地暴露所述第二金属层的步骤之后，通过去除所述第一金属层中的所述Au层来暴露所述第一金属层中的所述NiCr层的步骤。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中暴露所述第二金属层的步骤还包括：在暴露所述NiCr层的步骤之后，去除所述第一金属层中的所述NiCr层以暴露所述衬底的所述次表面的步骤，所述对应于划线的区域中没有留下金属。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中沉积所述第三金属层的步骤沉积厚度为20nm至200nm的Ni和Cr的合金。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中暴露所述第二金属层的步骤在所述衬底通孔的周边中留下所述第三金属层，该衬底通孔的周边的宽度为至少10μm。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中沉积所述第二金属层的步骤在选择性镀覆中使用所述第一金属层作为籽晶层进行电镀。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中沉积所述第二金属层的步骤沉积厚度为5μm至10μm的Au层。

9.根据权利要求1所述的方法，

在沉积所述第一金属层的步骤之前，还包括以下步骤：

在所述衬底的所述次表面中沉积籽晶金属层；

使用所述籽晶金属层作为籽晶金属，通过电镀选择性地形成金属掩模，所述金属掩模具有这样的开口，该开口在要形成所述衬底通孔的部分中暴露所述籽晶金属层；和

将所述籽晶金属层和所述衬底依次蚀刻至形成在所述衬底的所述主表面中的所述半导体有源器件。

10.根据权利要求9所述的方法，

在形成所述衬底通孔的步骤之前，还包括将所述衬底减薄至这样的厚度的步骤，该厚度与所述开口的宽度的纵横比为0.5至10。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中将所述半导体器件贴片的步骤不会在所述衬底通孔中留下焊料。