[发明专利]用于稳态法测量膏状材料导热性能的样品支架及测量方法

权利要求书

1.一种用于稳态法测量膏状材料导热性能的样品支架，其特征在于，该样品支架包含：上金属片、下金属片、金属丝以及绝热环；所述的绝热环具有中心孔，该中心孔的孔径与上金属片、下金属片的直径一致，待测膏状材料分别涂覆在上金属片、下金属片上形成待测膏状材料涂层，所述金属丝位于下金属片上的待测膏状材料涂层中。

2.如权利要求1所述的用于稳态法测量膏状材料导热性能的样品支架，其特征在于，所述的上金属片与下金属片的形状、大小完全一致。

3.如权利要求1所述的用于稳态法测量膏状材料导热性能的样品支架，其特征在于，上金属片与下金属片涂覆待测膏状材料的一面相向设置，位于绝热环的中心孔中。

4.如权利要求1所述的用于稳态法测量膏状材料导热性能的样品支架，其特征在于，所述的样品支架包含3段直径相同的金属丝，该3段金属丝沿下金属片周向均匀分布。

5.如权利要求4所述的用于稳态法测量膏状材料导热性能的样品支架，其特征在于，所述的金属丝完全浸没于下金属片的待测膏状材料涂层中。

6.一种膏状材料导热性能的测量方法，其特征在于，该方法采用权利要求1-5中任意一项所述的用于稳态法测量膏状材料导热性能的样品支架制备具有不同厚度待测膏状材料涂层的两个试样，然后分别通过稳态法测量热阻，再根据以下公式(5)计算待测膏状材料的导热系数：

其中，k_TIM代表待测膏状材料的导热系数，Δd代表两个试样的厚度之差，ΔR代表两个试样的热阻之差。

7.如权利要求6所述的膏状材料导热性能的测量方法，其特征在于，试样的制备方法包含：

步骤1，将待测膏状材料分别均匀涂覆在上金属片、下金属片上；

步骤2，将3段金属丝间隔120°放置于下金属片的待测膏状材料涂层中，使得金属丝完全淹没在待测膏状材料涂层中；

步骤3，将上金属片覆盖在下金属片之上，并整体放置于绝热环的中心孔中，完成试样的制备。

8.如权利要求7所述的膏状材料导热性能的测量方法，其特征在于，步骤1中，下金属片的待测膏状材料涂层的厚度大于所选用金属丝直径。