[发明专利]一种晶圆的干燥方法

说明书

本发明提供一种晶圆的干燥方法，在清洗工艺完成后的晶圆干燥步骤，先通入饱和度较高的蒸汽，使其能够进入线宽细小的图形内部，更好的与清洗剩余的液体接触，然后在干燥过程中，逐渐减小蒸汽的饱和度，使其能够在饱和度较低的状态实现较好的晶圆干燥效果。与现有的干燥技术相比，上述方法具有干燥效率高、干燥速度快、对图形破坏小等优点，可以用于先进制程、精细工艺的半导体晶圆的干燥。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种晶圆的干燥方法。

背景技术

半导体晶圆的清洗工艺中，干燥晶圆上表面是非常重要的一环。因为在清洗工艺结束后，晶圆上表面会剩余少量的液体(通常是水)，如果干燥不充分，就会在晶圆上表面形成“水痕”等缺陷，所以干燥效果的好坏直接影响着晶圆上表面的产品良率表现。

晶圆上表面的干燥方法有很多，槽式清洗(批量清洗)和单片清洗的干燥各有不同。当前槽式清洗的干燥方法主要为异丙醇(iso-Propyl alcohol，IPA)蒸汽干燥，利用凝结在晶圆上表面的IPA蒸汽减小剩余液体的表面张力，以使得剩余液体从晶圆上表面脱落。单片清洗的干燥方法主要为旋转干燥，并在干燥时通入氮气。

随着半导体制造领域产品图形的间距越来越窄，图形的高深比越来越大，IPA蒸汽不易进入线宽细小的图形内部，使得干燥效果较差。而且，IPA和水的表面张力存在差异，干燥时产生的毛细管力会对图形产生向心拉力，使得图形变形，破坏图形结构，进而使晶圆产品失效。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种晶圆的干燥方法，以解决现有技术中晶圆干燥不彻底和图形由于毛细管力作用失效的问题。

为实现本发明的目的而提供一种晶圆的干燥方法，包括以下步骤：S1：将至少一个清洗后待干燥的晶圆置于一容器中；S2：把用于对所述晶圆的表面进行干燥的蒸汽引入所述容器中，并在干燥过程中，逐渐减小所述蒸汽的饱和度。

优选的，在所述步骤S2中，将所述蒸汽的饱和度从过饱和状态逐渐减小至欠饱和状态。

优选的，在所述步骤S2中，所述蒸汽包括水蒸汽、IPA与水的混合蒸汽以及IPA蒸汽中的一种。

优选的，在所述步骤S2中，依次把不同种类的所述蒸汽引入所述容器中，所述蒸汽包括水蒸汽、IPA与水的混合蒸汽以及IPA蒸汽中的至少两种。

优选的，其特征在于，在所述步骤S2中，先通入水蒸汽。

优选的，在所述步骤S2中，通过控制所述蒸汽的压力和/或温度逐渐减小所述蒸汽的饱和度。

优选的，所述蒸汽的压力范围是0.1MPa～0.5MPa。

优选的，所述蒸汽的温度范围是80℃～170℃。

优选的，在所述步骤S2之后，还包括以下步骤：S3：把一吹扫气体引入所述容器中。

优选的，所述吹扫气体为干燥的空气或氮气。

优选的，所述吹扫气体的流量范围为1L/min～4L/min，所述吹扫气体的温度范围为20℃～50℃。

优选的，在所述步骤S3中，旋转所述晶圆，所述晶圆的转速范围为1000r/min～2000r/min。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的一种晶圆的干燥方法，在清洗工艺完成后的晶圆干燥步骤，先通入饱和度较高的蒸汽，使其能够进入线宽细小的图形内部，更好的与清洗剩余的液体接触，然后在干燥过程中，逐渐减小蒸汽的饱和度，使其能够在饱和度较低的状态实现较好的晶圆干燥效果。与现有的干燥技术相比，上述方法具有干燥效率高、干燥速度快、对图形破坏小等优点，可以用于先进制程、精细工艺的半导体晶圆的干燥。

附图说明