[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910117966.6 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN109950372B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述多量子阱层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，其特征在于，
每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层均为InxGa1-xN层，0＜x＜1，所述第一子层和所述第三子层中的In组分是所述第二子层中的In组分的25％～35％；
所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度比为1：3：1或者1：4：1或者1：5：1或者1：6：1，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度比根据所述发光二极管外延片的发光波长大小选取；
所述第二子层是在混合了氮气和氨气的气体氛围下生长而成的，所述第一子层和所述第三子层是在混合了氮气、氨气和氢气的气体氛围下生长而成的。
2.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层；
其中，所述多量子阱层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层均为InxGa1-xN层，0＜x＜1，所述第一子层和所述第三子层中的In组分是所述第二子层中的In组分的25％～35％，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度比为1：3：1或者1：4：1或者1：5：1或者1：6：1，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度比根据所述发光二极管外延片的发光波长大小选取；
所述制造方法还包括：
在混合了氮气和氨气的气体氛围下，生长所述第二子层；
在混合了氮气、氨气和氢气的气体氛围下，生长所述第一子层和所述第三子层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一子层的生长温度与所述第三子层的生长温度相等，所述第二子层的生长温度低于所述第一子层的生长温度。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第二子层的生长温度比所述第一子层的生长温度低10～30℃。
5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，生长所述第一子层和所述第三子层时，通入的所述氢气的流量是通入的所述氮气和所述氨气的总流量的1％～5％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910117966.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
