[发明专利]低延迟低电压电流比较器及电路模块

权利要求书

1.一种基于改进共源共栅电流镜的低延迟低电压电流比较器，其特征在于包括：共源共栅电流镜级电路和放大级电路，其中共源共栅电流镜级电路的输出端连接至放大级电路的输入端；

其中，共源共栅电流镜级电路包括：基准电流源、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管；其中，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极接地；第一NMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极互连并连接至第三NMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极，作为输入端；第一NMOS晶体管的漏极连接至第四NMOS晶体管的源极，第二NMOS晶体管的漏极连接至第三NMOS晶体管的源极；第三NMOS晶体管的栅极、第四NMOS晶体管的栅极、第四NMOS晶体管的漏极均连接至基准电流源；第三NMOS晶体管的漏极作为输出端；其中，共源共栅电流镜级电路中与输入端连接的MOS晶体管的沟道长宽比比例是1:1；

而且其中，放大级电路包括：依次连接的电平移位级、放大级和反相器；其中，电平移位级包括：第一放大级电路NMOS晶体管、第二放大级电路NMOS晶体管和第三放大级电路PMOS晶体管；其中第一放大级电路NMOS晶体管的栅极和第二放大级电路NMOS晶体管的栅极相连作为输入端以接收输入信号；第三放大级电路PMOS晶体管的栅极接收基准输入信号，第一放大级电路NMOS晶体管的漏极和第二放大级电路NMOS晶体管的源极相连，第二放大级电路NMOS晶体管的漏极连接至第三放大级电路PMOS晶体管的漏极，第一放大级电路NMOS晶体管的源极接地，第三放大级电路PMOS晶体管的源极接电源电压；

放大级包括：第四放大级电路NMOS晶体管、第五放大级电路PMOS晶体管、第六放大级电路PMOS晶体管、以及第七放大级电路NMOS晶体管；其中，第四放大级电路NMOS晶体管的栅极连接至电平移位级的输出端，第五放大级电路PMOS晶体管的栅极接收基准输入信号，第四放大级电路NMOS晶体管的漏极和第五放大级电路PMOS晶体管的漏极相连并连接至第七放大级电路NMOS晶体管的栅极，第四放大级电路NMOS晶体管的源极和第七放大级电路NMOS晶体管的源极接地，第五放大级电路PMOS晶体管的源极和第六放大级电路PMOS晶体管的源极接电源电压，第六放大级电路PMOS晶体管的栅极接另一基准输入信号，第六放大级电路PMOS晶体管的漏极以及第七放大级电路NMOS晶体管的漏极相连作为放大级的输出端；

反相器包括：第八放大级电路PMOS晶体管以及第九放大级电路NMOS晶体管；其中第八放大级电路PMOS晶体管的源极接电源电压，第九放大级电路NMOS晶体管的源极接地，第八放大级电路PMOS晶体管的栅极和第九放大级电路NMOS晶体管的栅极相连并连接至放大级的输出端，第八放大级电路PMOS晶体管的漏极和第九放大级电路NMOS晶体管的漏极相连并作为反相器的输出端。

2.一种电路模块，其特征在于包括根据权利要求1所述的基于改进共源共栅电流镜的低延迟低电压电流比较器。