[发明专利]一种基于硫化镉对含有冠醚的酞菁分子半导体材料的无机掺杂修饰方法

权利要求书

1.一种基于硫化镉对不对称冠醚取代酞菁分子半导体材料的无机掺杂修饰方法，其特征在于将冠醚取代的酞菁分子在氯化镉液面上铺展，并在硫化氢熏蒸后，利用水平提拉法将其取出并制成酞菁/CdS半导体混杂材料；该修饰方法的特征在于所选用的不对称冠醚取代酞菁分子是2,3–二辛烷氧基–9,10,16,17,23,24–三15冠5酞菁H₂{Pc(15C5)₃[(OC₈H₁₇)₂]}或2,3–15冠5–9,10,16,17,23,24–六辛烷氧基酞菁H₂{Pc(15C5)[(OC₈H₁₇)₆]}；制备包括以下几个步骤：

步骤1：在洗净的培养皿中加入浓度为1×10^-4mol·L^-1的CdCl₂水溶液，用微量进样器在CdCl₂液面上滴加60μL1.2×10^-4mol·L^-1酞菁的二氯甲烷溶液，让溶液在液面上平铺；将培养皿放入密封干燥器中，静置3小时,以保证H₂{Pc(15C5)₃[(OC₈H₁₇)₂]}/CdS或H₂{Pc(15C5)[(OC₈H₁₇)₆]}/CdS自组装薄膜会在CdCl₂水溶液表面形成；

步骤2：在密封培养皿中放入装有20ml 6×10^-3mol·L^-1的Na₂S溶液和10ml 0.24×10^-3mol·L^-1HCl混合溶液的小烧杯，利用产生的H₂S熏蒸20min；

步骤3：采用水平提拉法将水面上排列的分子自组装膜转移到洗净的石英、ITO基片上。

2.根据权利要求1所述的无机掺杂修饰方法，硫化氢氛围熏蒸下，在空气/CdCl₂界面上形成H₂{Pc(15C5)₃[(OC₈H₁₇)₂]}或H₂{Pc(15C5)[(OC₈H₁₇)₆]}膜。

3.根据权利要求1所述的无机掺杂修饰方法，其中滴加酞菁的二氯甲烷溶液的浓度须为1.2×10^-4mol·L^-1，使用H₂S熏蒸时间须为20分钟。