[发明专利]一种具有中空褶皱结构的电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910119033.0 申请日: 2019-02-18
公开(公告)号: CN109830698B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 卢向阳;田云;邓奇 申请(专利权)人: 湖南农业大学
主分类号: H01M4/88 分类号: H01M4/88;H01M4/96;H01M8/18;C12N1/14;C12R1/685;C12R1/68
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410128*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 中空 褶皱 结构 电极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有中空褶皱结构的全钒液流电极的制备方法,其特征在于,所述方法是将真菌接种到碳素电极的内表面及外表面培养,再利用高温退火的方法得到具有中空褶皱结构的电极;所述真菌为霉菌、蕈类或酵母中的至少一种;所述方法具体包括如下步骤:(1)将真菌接种到碳素电极的内表面及外表面,于25-35℃条件下培养24-240h,得长有真菌的碳素电极;(2)将长有真菌的碳素电极于40-150℃烘干至恒重,然后置于有氩气气氛的石英管中,于700-1100℃恒温保持0.5-3h,冷却至15-30℃,再经过洗涤、干燥后,即得目标电极。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述霉菌为黑曲霉。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述碳素电极为全钒液流电池的碳素电极。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述碳素电极包括碳毡、石墨毡、碳布或碳纸。

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