[发明专利]静电保护结构和半导体器件

权利要求书

1.一种静电保护结构，其特征在于，包括：

半导体基底；

第一阱区，形成于所述半导体基底内，所述第一阱区具有N型导电类型；

第一掺杂区和第二掺杂区，分别形成于所述第一阱区内且间隔设置，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均具有P型导电类型；及

电阻结构与互连结构，所述互连结构包括第一电连接结构和第二电连接结构，所述第一电连接结构分别与所述第一掺杂区和所述第一阱区连接，所述电阻结构通过所述第一电连接结构连接于所述第一掺杂区与所述第一阱区之间，且从连接于所述第一掺杂区与所述电阻结构之间的所述第一电连接结构引出所述静电保护结构的第一连接端，所述第二电连接结构与所述第二掺杂区连接，且从所述第二电连接结构引出所述静电保护结构的第二连接端。

2.如权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述半导体基底具有P型导电类型，所述第二电连接结构还与所述半导体基底连接。

3.如权利要求2所述的静电保护结构，其特征在于，还包括：

第二阱区，形成于所述半导体基底内，且与所述第一阱区间隔设置，所述第二阱区具有N型导电类型，所述第二阱区与所述第一连接端连接。

4.如权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一阱区内形成有多个间隔设置的所述第一掺杂区和多个间隔设置的所述第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区交替设置，各所述第一掺杂区通过所述第一电连接结构相互连接，各所述第二掺杂区通过所述第二电连接结构相互连接。

5.如权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述第一阱区内形成有相对设置的第三掺杂区，各所述第三掺杂区具有N型导电类型，各所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述第一阱区的掺杂浓度，所述第一电连接结构与各所述第三掺杂区连接，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成于所述相对设置的第三掺杂区之间的第一阱区内。

6.如权利要求4所述的静电保护结构，其特征在于，各所述第一掺杂区之间、各所述第二掺杂区之间以及所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间形成有场氧隔离结构或者浅沟槽隔离结构。

7.如权利要求2所述的静电保护结构，其特征在于，所述半导体基底内还形成有第四掺杂区，所述第四掺杂区具有P型导电类型，所述第四掺杂区的掺杂浓度大于所述半导体基底的掺杂浓度，所述第二电连接结构与第四掺杂区连接。

8.如权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述电阻结构为多晶硅电阻。

9.如权利要求1所述的静电保护结构，其特征在于，所述互连结构为金属互连结构。

10.一种半导体器件，包括主电路结构和静电保护结构，所述主电路结构与所述静电保护结构连接，其特征在于，所述静电保护结构为权利要求1至9任一项所述的静电保护结构。