[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：多个有源图案和多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。

本申请要求于2018年6月4日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0064024号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例涉及半导体装置和制造该半导体装置的方法。更具体地，示例实施例涉及包括布线的半导体装置和制造该半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置包括晶体管和布线。布线可以包括与晶体管的栅极和/或有源区域接触的接触插塞以及使接触插塞彼此连接的连接图案。

鳍式场效应晶体管(FinFET)可以是半导体装置的组件，该组件可以包括与有源区域接触的一个或更多个第一接触插塞、与栅电极接触的一个或更多个第二接触插塞以及电连接到从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的连接图案。在一些情况下，在第一接触插塞或第二接触插塞与连接图案之间的界面处会发生接触故障。

发明内容

示例实施例提供了一种包括接触插塞和连接图案的半导体装置。

根据示例实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置可以包括：多个有源图案，位于基底上；多个栅极结构，位于基底上；第一绝缘中间层，覆盖有源图案和栅极结构的至少一部分；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。每个栅极结构可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与和栅极结构相邻的有源图案接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。

根据示例实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置可以包括：有源鳍，从基底突出；多个栅极结构，位于有源鳍上；外延结构，位于栅极结构之间的有源鳍上；第一绝缘中间层，覆盖栅极结构、有源鳍和外延结构的至少一部分；多个第一接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；多个第二接触插塞，延伸穿过第一绝缘中间层；以及第一连接图案，与从第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁直接接触。有源鳍可以在第一方向上延伸。每个栅极结构可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且可以包括栅极绝缘层、栅电极和覆盖图案。每个第一接触插塞可以与外延结构接触。每个第二接触插塞可以与栅极结构中的栅电极接触。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面和第二接触插塞的上表面基本共面。

根据示例实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置可以包括：基底，包括第一接触区域和第二接触区域；绝缘中间层，位于基底上；多个第一接触插塞，从绝缘中间层的上表面延伸到第一接触区域；多个第二接触插塞，从绝缘中间层的上表面延伸到第二接触区域；以及第一连接图案，从由第一接触插塞和第二接触插塞中选择的至少一个接触插塞的侧壁突出。第二接触区域的表面高度可以与第一接触区域的表面高度不同。第一连接图案的上表面可以与第一接触插塞的上表面、第二接触插塞的上表面和绝缘中间层的上表面基本共面。

如上所述，在半导体装置中，接触插塞和电连接到接触插塞的第一连接图案可以形成具有单一的整体结构的布线结构。也就是说，一个接触插塞的连接部与第一连接图案的连接部之间不存在分离。或者，换言之，界面可以具有零的厚度。因此，可以降低由于一个接触插塞与第一连接图案之间的界面或边界引起的故障。

附图说明