[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个有源区域，在基板上在第一方向上延伸；

第一栅极结构和第二栅极结构，在所述第一方向上彼此间隔开并在所述基板上在交叉所述多个有源区域的第二方向上延伸；

层间绝缘层，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构周围；以及

栅极间切割层，在所述第一方向上穿过所述第一栅极结构和所述第二栅极结构以及所述层间绝缘层，所述栅极间切割层包括绝缘材料，

其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构由所述栅极间切割层切割，

其中在切割所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的区域处的所述栅极间切割层的底表面的水平面低于所述层间绝缘层中的所述栅极间切割层的底表面的水平面。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的每个包括栅电极，所述栅电极包括金属材料。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个有源区域的每个包括从所述基板突出的多个有源鳍，

其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的每个延伸以分别覆盖第一有源区域和第二有源区域，所述第一有源区域包括所述多个有源鳍当中的至少一个有源鳍，所述第二有源区域与所述第一有源区域分隔开并包括另外的至少一个有源鳍。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述栅极间切割层在所述第一有源区域和所述第二有源区域之间，

其中所述栅极间切割层的底表面是不平坦的表面，并且所述栅极间切割层的顶表面是相对平坦的表面。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第二方向上具有突出点的源极/漏极区域在所述多个有源区域的没有被所述第一栅极结构和所述第二栅极结构覆盖的区域处，

其中所述层间绝缘层中的所述栅极间切割层的底表面的水平面低于所述源极/漏极区域的最上端的水平面并高于所述突出点的水平面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中在切割所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的区域处的所述栅极间切割层在所述第一方向上的宽度在垂直于所述基板的顶表面的方向上具有至少一个台阶部分。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的每个包括间隔物，

其中所述间隔物包括多层材料层，所述多层材料层包括不同的材料，

其中仅所述多层材料层内的部分材料层被所述栅极间切割层切割。

8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述基板上限定所述多个有源区域的器件隔离层，

其中在切割所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的区域处的所述栅极间切割层的底表面直接接触所述器件隔离层的顶表面，

其中所述层间绝缘层中的所述栅极间切割层的底表面直接接触所述层间绝缘层。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的每个包括栅电极和栅极电介质层，

其中所述栅电极和所述栅极电介质层由所述栅极间切割层切割。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述栅电极的顶表面的水平面与所述栅极间切割层的顶表面的水平面相同。