[发明专利]用于形成精细图案的方法

权利要求书

1.一种用于形成精细图案的方法，该方法包括：

在半导体衬底上形成多个线图案和连接图案，所述多个线图案沿第一方向延伸并在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，所述连接图案连接在所述第二方向上彼此相邻的所述多个线图案的部分；以及

对所述连接图案执行离子束蚀刻工艺，

其中所述离子束蚀刻工艺在平行于由所述第一方向和垂直于所述半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束，并且所述离子束的所述入射方向不垂直于所述半导体衬底的所述顶表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子束蚀刻工艺朝向所述连接图案的侧壁照射所述离子束。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个线图案中的一个线图案具有从所述一个线图案的顶表面凹陷的凹陷部分，以及

其中在所述离子束蚀刻工艺中，所述离子束的入射角取决于所述凹陷部分的深度而被调节，并且所述入射角被定义为所述入射方向与所述半导体衬底的所述顶表面之间的角度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述半导体衬底上，所述连接图案的高度小于所述多个线图案的高度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述连接图案的高度等于所述多个线图案的高度。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底上形成下层，其中所述线图案和所述连接图案形成在所述下层上，

其中所述执行所述离子束蚀刻工艺包括：去除所述连接图案以暴露在所述第二方向上彼此相邻的所述线图案之间的所述下层。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体衬底上依次形成下层和掩模层；以及

在所述掩模层上形成光致抗蚀剂图案，其中所述光致抗蚀剂图案包括：沿所述第一方向延伸的线部分；和局部地保留于在所述第二方向上彼此相邻的所述线部分之间的残留部分，

其中所述形成所述线图案和所述连接图案包括：使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来各向异性地蚀刻所述掩模层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述形成所述光致抗蚀剂图案包括：

在所述掩模层上形成光致抗蚀剂层；

对所述光致抗蚀剂层执行照射极紫外线的曝光工艺；以及

显影所曝光的光致抗蚀剂层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述掩模层是旋涂硬掩模层、旋涂碳层或非晶碳层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述线图案和所述连接图案由光致抗蚀剂形成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述离子束蚀刻工艺包括：减小所述连接图案在所述第一方向上的宽度。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述执行所述离子束蚀刻工艺之后，分别在由所述线图案和所述连接图案限定的开口中形成导电图案，

其中所述导电图案沿所述第一方向延伸；所述导电图案通过所述线图案在所述第二方向上彼此间隔开，并通过所述连接图案在所述第一方向上彼此间隔开。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述线图案和所述连接图案由绝缘材料形成。