[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，其特征在于，

所述多量子阱层包括交替生长的InGaN量子阱层和复合量子垒层，所述复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，所述第一量子垒层和所述第三量子垒层均为AlInGaN层，所述第二量子垒层为AlGaN层，所述第二量子垒层中的Al组分沿外延片的层叠方向先逐渐增大再逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二量子垒层中的Al组分先由0逐渐增大至0.05～0.15，再逐渐减小至0。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一量子垒层和所述第三量子垒层中的Al组分均为0.02～0.05，In组分均为0.05～0.1。

4.根据权利要求1～3任一项所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一量子垒层和所述第三量子垒层的厚度相等，所述第二量子垒层的厚度大于所述第一量子垒层的厚度。

5.根据权利要求4所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第二量子垒层的厚度为6～8nm。

6.根据权利要求4所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于，所述第一量子垒层和所述第三量子垒层的厚度均为0.2～0.4nm。

7.一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层；

在所述N型层上生长多量子阱层，所述多量子阱层包括交替生长的InGaN量子阱层和复合量子垒层，所述复合量子垒层包括依次层叠的第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，所述第一量子垒层和所述第三量子垒层均为AlInGaN层，所述第二量子垒层为AlGaN层，所述第二量子垒层中的Al组分沿外延片的层叠方向先逐渐增大再逐渐减小；

在所述多量子阱层上依次生长电子阻挡层、P型层和P型接触层。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，生长所述第二量子垒层包括：

采用三甲基铝为Al源，控制通入的所述三甲基铝的流量先由0逐渐增大至12～20sccm/s，再逐渐减小至0。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一量子垒层的生长温度和所述第三量子垒层的生长温度相等，所述第二量子垒层的生长温度大于所述第一量子垒层的生长温度。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一量子垒层的生长温度和所述第三量子垒层的生长温度均为820～850℃，所述第二量子垒层的生长温度为850～880℃。