[发明专利]一种基于纵向扼流圈的新型TMR电流传感器

权利要求书

1.一种基于纵向扼流圈的新型TMR电流传感器，其特征在于：包括绝缘底座、印制电路板、TMR芯片以及纵向扼流圈，待测电流导线由绝缘底座下端通过，在绝缘基底上端固装有印制电路板，印制电路板上集成固装TMR芯片，印制电路板内集成有电路导线和信号处理电路，TMR芯片的输出引脚连接到印制电路板电路导线，在绝缘基底上安装有一纵向扼流圈，该纵向扼流圈的输入、输出引脚分别连接到印制电路板电路导线，印制电路板的电路导线与信号处理电路连接，纵向扼流圈的两个输入端分别与TMR芯片的两个输出端相连接，在纵向扼流圈上缠绕有缠绕方式相同的两条导线。

2.根据权利要求1所述的基于纵向扼流圈的新型TMR电流传感器，其特征在于：在所述绝缘基底下端安装有固定架，用于固定待测电流导线的位置，TMR元件通过感应磁场产生信号。

3.根据权利要求1所述的基于纵向扼流圈的新型TMR电流传感器，其特征在于：所述信号处理电路为信号放大电路和模数转换电路。

4.根据权利要求2所述的基于纵向扼流圈的新型TMR电流传感器，其特征在于：所述TMR芯片是一个惠斯通电桥结构，每个桥臂各包含一个相同的TMR元件，惠斯通电桥的输出电压即为TMR芯片的输出信号，所述纵向扼流圈的两个输入端分别与所述TMR芯片惠斯通电桥的两个输出端相连接。

5.根据权利要求4所述的基于纵向扼流圈的新型TMR电流传感器，其特征在于：所述纵向扼流圈有(L1)、(L2)、(L1’)、(L2’)共四个端口，TMR芯片惠斯通电桥输出信号通过纵向扼流圈按(L2)→(L2’)→(L1’)→(L1)的顺序形成回路，所述纵向扼流圈端口(L2)→(L2’)与(L1’)→(L1)产生的磁场抵消，外界交变的磁场在其中引起干扰电动势，由干扰电动势产生的干扰电流流同时从端口(L1)和端口(L2)进入扼流线圈，再经由端口(L1’)和端口(L2’)流出，在两绕组(L2)→(L2’)与(L1’)→(L1)内产生的磁场同相叠加，等效为扼流圈对于干扰电流呈现大感抗，抑制地环路的干扰信号。