[发明专利]一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置有效
申请号: | 201910121800.1 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN109817688B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 陶文昌;李宗祥;王进;林琳琳;吴振钿;洪贵春;庄子华;吕耀朝;石常洪;邱鑫茂;刘祖文;周敏;廖加敏;刘耀;程浩;黄雅雯;陈曦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;福州京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括相对设置的第一基板和第二基板,以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的多个亚像素区域,每一所述亚像素区域包括依次层叠设置的第一相位调制结构、第一有机发光场效应晶体管、第二有机发光场效应晶体管和第二相位调制结构;其中,
所述第一有机发光场效应晶体管用于向所述第一相位调制结构发射第一波长的单色光,所述第二有机发光场效应晶体管用于向所述第二相位调制结构发射第二波长的单色光,所述第一波长和所述第二波长的单色光颜色不同;
所述第一相位调制结构用于将接收的所述第一波长的单色光进行相位调制后反射至所述第二相位调制结构,并出射经过所述第二相位调制结构相位调制后的第二波长的单色光;
所述第二相位调制结构用于将接收的所述第二波长的单色光进行相位调制后反射至所述第一相位调制结构,并出射经过所述第一相位调制结构相位调制后的第一波长的单色光。
2.如权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一相位调制结构包括:位于所述第一基板与所述第一有机发光场效应晶体管之间、且背向所述第一基板一侧依次叠层设置的第一光子晶体层、第一介质层和第一亚波长光栅;其中,
所述第一亚波长光栅用于透射所述第一波长的单色光和所述第二波长的单色光,所述第一介质层用于调制所述第一波长的单色光的相位,所述第一光子晶体层仅允许所述第二波长的单色光透过。
3.如权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第二相位调制结构包括:位于所述第二基板与所述第二有机发光场效应晶体管之间、且背向所述第二基板一侧依次叠层设置的第二光子晶体层、第二介质层和第二亚波长光栅;其中,
所述第二亚波长光栅用于透射所述第一波长的单色光和所述第二波长的单色光,所述第二介质层用于调制所述第二波长的单色光的相位,所述第二光子晶体层仅允许所述第一波长的单色光透过。
4.如权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一亚波长光栅和所述第二亚波长光栅均包括多个间隔设置的光栅条,以及存在于相邻两个所述光栅条之间的光栅间隙;其中,所述光栅条的宽度和所述光栅间隙的宽度为一光栅周期,通过调整所述光栅周期或所述光栅间隙的宽度,以使所述第一亚波长光栅和所述第二亚波长光栅均能够透射所述第一波长的单色光和所述第二波长的单色光。
5.如权利要求3所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一介质层和所述第二介质层均为电光晶体。
6.如权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一有机发光场效应晶体管包括位于所述第一相位调制结构面向所述第二基板一侧的第一源极、第一漏极、第一有机发光层和第一栅极;所述第二有机发光场效应晶体管包括位于所述第二相位调制结构面向所述第一基板一侧的第二源极、第二漏极、第二有机发光层和第二栅极。
7.如权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括位于所述第一有机发光场效应晶体管与所述第二有机发光场效应晶体管之间的阴极,所述第一有机发光场效应晶体管与所述第二有机发光场效应晶体管共用所述阴极。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的有机发光显示面板。
9.一种如权利要求1-7任一项所述的有机发光显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
在所述第一基板上依次制作层叠设置的第一相位调制结构、第一有机发光场效应晶体管、第二有机发光场效应晶体管和第二相位调制结构。
10.一种如权利要求1-7任一项所述的有机发光显示面板的显示方法,其特征在于,包括:
所述第一相位调制结构将接收的所述第一波长的单色光进行相位调制后反射至所述第二相位调制结构,并出射经过所述第二相位调制结构相位调制后的第二波长的单色光;
所述第二相位调制结构将接收的所述第二波长的单色光进行相位调制后反射至所述第一相位调制结构,并出射经过所述第一相位调制结构相位调制后的第一波长的单色光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的