[发明专利]一种五氧化二钒正极材料及其制备方法及应用在审
| 申请号： | 201910122408.9 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN109830666A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 袁号;李素丽;赵伟;唐伟超;李俊义;徐延铭 | 申请（专利权）人： | 珠海光宇电池有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 519180 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 五氧化二钒 正极材料 纳米花 三维 制备 导电基 硫化 电导率 退火 含氧气氛 循环过程 热生长 中结构 锂电池 锂离子 放入 片层 脱出 嵌入 坍塌 应用 生长 | ||
1.一种五氧化二钒正极材料，其特征在于：所述五氧化二钒正极材料为三维纳米花结构。
2.根据权利要求1所述的一种五氧化二钒正极材料，其特征在于：所述纳米花的片层厚度为10～100 nm。
3.根据权利要求1所述的一种五氧化二钒正极材料，其特征在于：所述三维纳米花上分布有多个孔，所述每个孔的孔径大小为1～50 μm。
4.根据权利要求1所述的一种五氧化二钒正极材料，其特征在于：所述五氧化二钒正极材料中钒含量为10～50wt%，碳含量为10～50wt%，其余为氧。
5.一种权利要求1-4任一权利要求所述的五氧化二钒正极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、在惰性导电基底上水热生长三维纳米花结构的二硫化钒；
步骤二、将生长三维纳米花结构的二硫化钒的导电基底放入含氧气氛中退火得到具有三维纳米花结构的五氧化二钒正极材料。
6.根据权利要求5所述的一种五氧化二钒正极材料的制备方法，其特征在于：步骤一中的惰性导电基底为石墨烯纸或石墨烯泡沫，所述石墨烯纸的厚度为10~100 μm，石墨烯泡沫的质量为2~20 mg。
7.根据权利要求5所述的一种五氧化二钒正极材料的制备方法，其特征在于：步骤一中水热生长三维纳米花结构的二硫化钒的前驱体溶液为硫代乙酰胺与偏钒酸铵的混合水溶液A，所述混合水溶液A的浓度为10~100 g/L，所述硫代乙酰胺与偏钒酸铵质量比为1~3:1~3。
8.根据权利要求5所述的一种五氧化二钒正极材料的制备方法，其特征在于：步骤一中水热生长三维纳米花结构的二硫化钒的水热温度为120~180℃，时间为12~24 h。
9.根据权利要求5所述的一种五氧化二钒正极材料的制备方法，其特征在于：步骤二中退火温度为100~500℃，时间为1~5 h。
10.一种权利要求1-4所述的五氧化二钒正极材料在全固态电池中的应用。
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